5年内进入3纳米，台积电真能做到吗？.doc

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1、5年内进入3纳米，台积电真能做到吗？5年内进入3纳米，台积电真能做到吗？　　台湾地区科技部长陈良基9日表示，半导体为产业竞争力核心，台积电10纳米制程已进入量产，2年后将进入7纳米，不到5年将进入3纳米、2纳米，届时将面临物理极限，必须要透过基础研究突破。　　陈良基在行政院新首长上任联合记者会上表示，上任后将推动3件工作，第一支援学术研究；第二提振与推动产业技术创新，将相关技术透过研究转化成产业产品；第三建置国内相关科技研究环境，支持及维运科学园区发展。　　他强调，负责科研奖助的科技部并非冷门单位，他所提供的

2、研究是与民众未来切身相关的产品，例如目前手机上的虚拟实境与未来的人工智慧技术。　　科技研究对台湾非常重要，陈良基说，他对自己立下使命标竿，期持续以科技研究创造台湾的价值，也期盼于任内首先要连结学界研发成果与科技业界紧密结合，持续打底基础研究。　　以台积电为例，10纳米制程已进入量产，2年后将进入7纳米，不到5年将进入3纳米、2纳米，届时将面临物理极限，须透过基础研究突破。除半导体外，其他业界也需要基础研究支撑，科技部未来将结合学术界、产业界，共同推动产学联盟，期每年组成5－10个产学联盟。　　台积电百人团队投

3、入3nm　　去年下半年，台积电共同CEO刘德音首次透露了3nm制程的进度，他表示，目前组织了300~400人的团队研发中。根据规划，台积电的10nm、7nm都会用上EUV极紫外光刻技术，更遥远的5nm也会如此，而且还会加入新的多重电子束技术（mulTIpee-beam）。　　　　这两年业界在进入FinFET时代之后速度有所放慢，Intel的14nm制程延期一两年，直接导致他们放弃了TIck-Tock战略。Intel最初对制程进展的时间表还很乐观，上面这张前几年的路线图中，10nm制程预计在2015年之后量产，

4、但实际上是在明年下半年，延期了差不多2年，后面的7nm制程尚未公布具体量产时间，5nm等制程就更不用说了。因为就物理原理而言，7纳米的晶体管堪称物理极限，一旦晶体管的大小低于这一数字，晶体管之间就会产生所谓“量子隧穿”效应，使数据的交换紊乱，为芯片制造带来巨大挑战。也体了现在台积电深厚的技术底蕴。今年年底量产的10nm工艺上台积电就使用了EUV极紫外光刻技术，再往后的7nm、5nm也会采用这一技术，其中5nm还将使用多重电子束技术，以解决以上的物理难关。　　目前的情况是，包括Intel、TSMC、三星在内，他

5、们的10nm制程早已研发完毕，已经在准备量产。下下代的7nm制程已经在规划中了，技术研发也差不多了，已经准备在明年开始流片。再具体一些，TSMC公司联席CEO刘德音之前透露了该公司的制程路线图——2017年Q1正式量产，7nm制程投产也在计划中。　　至于更先进的5nm制程，目前还在积极规划，而3nm制程也组建了300-400人的团队在攻关了。如果没记错的话，这应该是首次有半导体公司提到3nm制程进展，此前见诸报导中最多提到5nm制程，3nm制程鲜有人提及——话说连厂商现在也不能保证3nm制程到底何时推出吧，从

6、5nm进展来看，小编估计至少是2025-2030年的事了。　　技术面临的挑战　　但那么先进的制程，会面临多方面的挑战，首先就是来自材料本身的极限。　　产业顾问机构ICKnowledge总裁ScottenJones认为，纳米节点将在2019年开始在某些制程步骤采用EUV技术，或许仍得采用某种形式的FinFET晶体管；至于再往下到3.5纳米节点，将会进展至采用水平纳米线（horizontalnanowire），而该节点应该会是经典半导体制程微缩的终点；其后2.5纳米节点堆栈n型与p型纳米线，可望在2025年将晶体

7、管密度增加60~70%。　　而EUV光刻机也是一大障碍。　　Globalfoundries技术长GaryPatton在2016年10月来台与本地媒体分享该公司最新技术与策略方向时则表示，他预期EUV微影技术要到2019年才会迈入成熟，而Globalfoundries在该时间点之前就会量产的7纳米制程应该不会采用该技术。　　市场研究机构SemiconductorAdvisors的分析师RobertMaire认为：「EUV微影真正开始量产应该是会在2020年；」他指出，台积电（TSMC）已经宣布了将在5纳米节点采

8、用EUV微影的计划；而英特尔则可能会在7纳米采用EUV微影，与台积电的5纳米节点量产时程相当，时程预计是在2019年。　　Patton表示，人工智能、云端运算、高速通讯等应用，目前最尖端的3D晶体管FinFET制程是理想选择，目前该技术进入14纳米节点量产、已经成熟而且对高阶应用有价值；至于对运算性能要求较低、也以较低功率运作的各种嵌入式装置，例如物联网设备，其实就不一定要用到最尖端的FinFET制