SK Hynix的72L NAND快闪存储器与各家64L的对比分析详解.doc

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1、SKHynix的72LNAND快闪存储器与各家64L的对比分析详解　　在SKHynix的72层（72L）TLCNAND快闪存储器中，所谓的P-BiCS（Pipe-shapedBitCostScalable）单元，是利用管线式（pipe）闸极连结每一个NAND字串（NANDstring）；从其布局可见，该芯片包含4个平面（plane）以及双面字元线开关/解码器（two-sidedwordlineswitches/decoders）。　　该存储器阵列的效率约57%，是因为相对较大的存储器与其他周边；而SKHynix的36L与48L产品存储

2、器阵列效率则分别为67.5%与64.0%。此趋势显示SKHynix应该会为下一代芯片开发尺寸更小巧的设计。　　三星（Samsung）以及东芝/WD（Toshiba/WesternDigital）的64L3DTLCNANS裸晶，有超过65%的存储器阵列效率；不过以上的存储器芯片尺寸以及功能则都差不多。　　各家64L与72L3DNAND快闪存储器单元阵列效率比较　　SKHynix72LNAND快闪存储器的位元密度为3.55Gbits/mm2，高于Samsung/WD之64L芯片；而美光/英特尔（Micron/Intel）的64L3DNAN

3、D芯片是4种解决方案中位元密度最高的，主要是因为采用名为CuA（CMOSunderthearray）的独特砖式（TItle）布局。　　64L与72L3DNAND存储器芯片位元密度比较　　在3DNAND存储器单元架构方面，SKHynix芯片堆叠了总共82个闸极，包括选择器（selector）与虚设字元线（dummywordlines，DWL）；我们知道有72个闸极是用于主动字元线单元，而最上方的三个闸极则是用于源极与汲极的选择器闸极（selectorgates，SG），剩余的7个闸极应该是用于DWL以及隔离闸极（isolaTIongat

4、es）。　　在各家厂商的64LNAND元件中我们看到：　　Samsung采用了总数71个闸极，其中有3个用于SG，4个用于DWL；Toshiba/WD产品的闸极总数为73个，其中7个用于SG，2个用于DWL；Micron/Intel产品的闸极总数为76个，其中2个用于SG，7个用于DWL。　　垂直单元效率计算方法，是主动字元线的数量除以垂直堆叠闸极的总数；其结果就是该3DNAND存储器单元架构的流程效率。SKHynix72L产品的垂直单元效率为87.8%，Toshiba/WD的64LBiCS产品也是一样；Samsung的64L产品效率

5、则为90.1%，而Micron/Intel的64L产品效率则为84.2%，如下图所示。　　64L与72L3DNAND存储器产品的垂直单元效率　　SKHynix先前的36L与48L产品是采用单步骤蚀刻制程来制作分别为43个与55个闸极总数的通道电洞（channelholes）；新一代的72L存储器单元则是采用两步骤蚀刻制程来制作通到电洞。在管线闸极上，较低的42个闸极以及较上方的40个闸极，分别是以两个不同的蚀刻步骤形成。而狭缝（slits）与子狭缝（sub-slits）则是以单步骤蚀刻形成，制程整合程序如下：　　管线闸极铸模成形（下方

6、部位）通道蚀刻（下方部位）牺牲层填入电洞；铸模成形（上方部位）；通道蚀刻（上方部位）；牺牲层移除；通道成形。　　Micron/Intel的64L产品采用双堆叠NAND字串架构，在上部与下部堆叠之间有一个平板（plate）；而SKHynix的72L产品则是采用两步骤蚀刻制程，而非双堆叠NAND字串，工程师必须要严密控制制程步骤，以避免上下部位的通道电洞未对齐；该电洞的尺寸在256Gbit72L产品约只有10纳米。