传SK海力士72层3D NAND存储器明年量产.doc

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1、传SK海力士72层3DNAND存储器明年量产　　SK海力士最先进72层3DNAND记忆体传明年开始量产，韩联社26日引述知情人事消息报导指出，海力士计划于2017上半年完成芯片设计，位在利川（Icheon）的M14厂将可在下半年开始生产。　　若按计划进行，海力士将成为全球第一个量产72层3DNAND的记忆体厂。为因应市场需求增温，海力士上周已宣布将在南韩与中国两地，投资3.15兆韩圜来增加DRAM与NAND记忆体产能。　　随着微缩制程遭遇瓶颈，业者纷纷改以3D垂直方式堆叠记忆体做突破，但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已

2、于2013年量产48层3DNAND记忆体，至于64层3DNAND芯片也将在今年底开始投产。　　据市调机构DRAMeXchange统计，三星第三季NAND记忆体营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。东芝以19.6%位居第二，WesternDigital、海力士与美光分居三、四、五名，市占率依序为17.1%、10.4%与9.8%。　　3D堆叠/制程微缩竞争白热化NAND供应商技术差距缩小　　NANDFlash记忆体供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正分别从制程微缩与3D堆叠两个方向来提升NA

3、NDFlash的储存密度，且彼此间推出新世代产品的时间落差预料将明显缩小。可以预料的是，未来固态硬碟（SSD）等NANDFlash应用的单位储存成本将进一步下滑，开拓出更大的应用市场。　　　　资料显示，三星（Samsung）、东芝/闪迪（Toshiba/SanDisk）、美光/IMFlash与SK海力士（SKHynix）等主要NANDFlash记忆体供应商，在2016年皆已进入3DNAND时代。其中，进展最快的三星已率先于2015年下半进入48层MLC时代，预计在2017年初提升到64层MLC、2018年中进入96层MLC；

4、东芝/新帝则持续追赶三星，先在2016年追上三星目前的进度，并预期在2017年中推出64层MLC。　　进展相对较慢的美光/IMFlash及SK海力士，则已于2016年进入32层MLC时代，并将在2016年底、2017年初推出48层MLC、2018年中推出64层MLC。但值得注意的是，美光/IMFlash还有一条采用3DX-Point新架构的产品线将在2016年中开始量产上市，未来将对NANDFlash市场产生何种影响，有待后续观察。　　而在制程节点方面，目前四大NANDFlash芯片供应商均已进入1y纳米世代，彼此之间差异不

5、大。在进入1z纳米制程的时间点方面，除了东芝/新帝将在2016年下半率先导入12纳米制程，成为业界第一家进入1z纳米制程世代的供应商之外，其他三家业者之间都预计在2016年底～2017年初进入12纳米，时间落差只在一季之内。　　由于3D结构可显著提升NANDFlash芯片的储存密度，因此各家业者均戮力发展3DNANDFlash。研究认为，2016年各家业者的3DNANDFlash产出比重，将从2015年的6%提升到20%。　　随着64层MLC与1z纳米制程陆续到位，2017年单一NANDFlash颗粒的主流容量要达到128G

6、b以上，预料将不成问题，届时SSD、eMMC等NANDFlash储存应用的容量规格也可望跟着升级，价格竞争力更上层楼。