ISSCC：看ReRAM、存储器带宽进展.doc

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1、ISSCC：看ReRAM、存储器带宽进展　　在预定于2013年2月17~21日举办的国际固态电路研讨会（ISSCC）中，多家厂商提出了先进存储器技术的相关论文。　　存储器小组委员会主席KevinZhang表示，我们将继续看到嵌入式SRAM、DRAM和浮栅快闪存储器的进展。虽然目前所有主流存储器技术都面临着微缩挑战，但我们仍可以看到厂商们采用更多的智慧演算法和纠错技术，以开发出更高效的补存储器元件。　　　　新兴的非挥发性存储器容量趋势。　　不过，新兴存储器技术正在取得稳步进展，包括PCRAM和ReRAM在

2、内，另外，STT-MRAM也开始在独立和嵌入式应用中展开竞争者。　　本次会议中，东芝（Toshiba）和Sandisk提出了一篇论文，描述采用24nm制程，并具有可选二极体的32GbReRAM（电阻式随机存取存储器）测试晶片。　　凭藉着更高性能和更低的每位元读写功耗，可替代非挥发存储器的新兴技术魅力一直居高不下，但它们的密度通常无法与NAND快闪存储器竞争。ISSCC指出，去年的ISSCC中所发表的密度最高单晶片产品是64MbReRAM和8Gb的PRAM，但NAND已达到128Gb。　　Sandisk和

3、东芝的测试晶片是基于金属氧化物的ReRAM，它采用24nm制程，具有可选的二极体和二个分层架构。显然，作为堆叠的一部分，许多电路都被包含在阵列中，包括可选的电晶体或解码器、偏置控制电路、感应放大器、页面缓冲器、读/写控制电路和电压调节驱动器，它们都可提高阵列效率。　　松下（Panasonic）也提出一份有关ReRAM的论文，描述使用纤维缩放（filament-scaling）技术形成，并采用水平验证写入方案的ReRAM，其16nm单元的耐用性可超过107次。该元件是在1T1RReRAM阵列中实现。　　在

4、SRAM方面，随着制程节点下降到45nm，设计师持续和漏电流和降低动态功耗奋战。使用FinFET和全耗尽型SOI，是在22nm后持续微缩每位元单元面积并维持低电压性能的关键。　　台积电（TSMC）将提交一份论文，说明20nm的首款112MB6TSRAM。这是已知的最小型6T-SRAM，位元单元面积为0.081μm2。其四态电源管理方案可降低漏电流达65%。　　存储器带宽仍然是本次会议中的重点之一。Rambus将介绍一款单端收发器，它可针对高密度DIMM模组提供6.4Gb/s/pin。另外，Rambus也

5、将提交一份类似于上述技术，但速度仅有一半（3.2Gb/s/pinDDR4）的论文，该元件可达到出色的9.1mW/Gb/s功率效率。　　ISSCC（IEEEInternaTIonalSolid-StateCircuitsConference）是美国电气和电子工程师学会（IEEE）主办的国际电子电路研讨会，有IC领域的奥林匹克之称。