2018年最具潜力的20大新材料.doc

《2018年最具潜力的20大新材料.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、2018年最具潜力的20大新材料　　材料工业是国民经济的基础产业，尤其新兴材料，将会给工业带来革命性的变革。新材料是材料工业发展的先导，是重要的战略性新兴产业。21世纪的今天，科技革命迅猛发展，新材料产业升级、材料更新换代步伐加快。以下总结了2018年最具潜力的20大新材料。　　01、特种纤维　　　　特种纤维是具有特殊的物理化学结构、性能和用途，或具有特殊功能的化学纤维。这些纤维大都应用于工业、国防、医疗、环境保护和尖端科学各方面。　　特种纤维分别具有不同的特殊性能，如耐强腐蚀、低磨损、耐高温、耐辐射、抗燃、耐高电压、高强度高模量、高弹性、反渗透、高效过滤、吸附、离子交换、导光、导电

2、以及多种医学功能。　　02、柔性电极材料　　　　柔性电极是将电子器件制作在柔性或可延性塑料或薄金属基板上的电子技术。柔性电极可作为可穿戴电子器件。也就是说，如果成功，以后，我们带有「智能」的衣服或者体内的供电设备就不会再被僵硬的电路掣肘了。　　03、全息膜　　　　透明全息投影膜拥有独一无二的透明特性，在保持清晰显像的同时，能让观众透过投影膜看见背后景物。画质100%清晰亮丽，非凡超薄境界，绝无空间设限。有此神奇效果，得益于在国际市场上首次发表的综合衍射图(hologram)技术的实际应用，是国际上首次实现在无论光源是否充足的情况下，皆能透过正面及背面两侧同时、多角度直接观看影像的划时

3、代专利技术投影膜。　　全像彩色滤光板结晶体（HCFC）为核心材料，融合纳米技术，材料学、光学、高分子等多学科成果和制备加工技术，以有机材料、无机纳米粉体和精细金属粉体为原料，生产而成。轻薄内部蕴含先进的精密光学结构，以达致高清晰、高亮度的完美显像。　　04、微格金属　　　　微格金属(microlattice)材料是由连通中空管构成的3D多孔聚合物材料，中空管壁厚度不足人体头发直径的千分之一。它其中的金属微点阵是由相互连接的空心支柱组成；每支柱的直径～100um，壁厚100um，全部结构的99.99%为空气；表观密度为0.9g/cm3，是一种合成的多孔极轻3D开放式蜂窝聚合物结构金属材

4、料。　　05、量子金属　　　　由俄罗斯远东联邦大学、俄罗斯科学院远东分院的科学家与日本东京大学的同行组成的国际研究团队近日合成了世界上首例量子金属。远东联邦大学发布消息称，这种新材料具有以多晶硅为衬底的双层铊原子结构，当温度低于零下272摄氏度时，变为超导材料。　　实验表明，二维系统在转变为绝缘体或超导体的同时，仍可保持正常的金属态。这种不寻常的状态被称为量子金属或玻色金属。研究人员将继续对这种合成材料的电子特性进行深入研究。　　06、超固体　　　　超固体（Supersolid）是一种空间有序（比如固体或晶体）的材料，但同时还具有超流动性。换句话说，超固体同时具有固体和流体的特性。当

5、量子流体，比如He－4冷却到某特征温度以下时，He－4将经历超流转变，进入一个零黏性的态。这个转变被认为与发生玻色－爱因斯坦凝聚有关。　　超固体是回到1969年由俄罗斯物理学家首先预测的。他们假设在某些条件下，氦-4同位素可以同时显示固体和液体特性。　　07、超高温陶瓷　　　　超高温陶瓷材料（Ultrahigh-TemperatureCeramics,简称UHTCs）最早由美国空军开发，主要指高温环境（2000℃以上）和反应气氛中（如原子氧环境）能够保持化学稳定的一种特殊材料，通常包括硼化物、碳化物、氧化物在内的一些高熔点过渡金属化合物，由上述化合物组成的多元复合陶瓷材料统称为超高温

6、陶瓷材料。　　08、过渡金属硫化物　　　　TMDCs是具有MX2型的半导体，M代表过渡金属(如Mo、W等)，X代表硫族元素(如S、Se、Te)。TMDCs的研究历史非常悠久，1923年LinusPauling就确定了其结构，到1960s已经发现了超过60种TMDCs。1986年，单层的MoS2被首次合成，进一步推进了2D-TMDCs的研究。　　09、锡烯　　　　单层锡原子构成的厚度小于0.4纳米的二维晶体——锡烯，可在常温下达到100％导电率的超级材料，其导电性只存在于材料的边缘或表面，而不是内部。当拓扑绝缘体只有一层原子厚的时候，它的边缘导电性就会达到完美的100％。远胜近年来热议

7、的石墨烯，可实现室温下无能量损耗的电子输运。　　10、新型透明导电材料　　　　美国宾州州立大学研究人员选择了一种电子间相互作用大于其动能的材料，由于电子强关联作用，电子能“感觉”到彼此，从而使其性质类似于“液体”，而不是没有相互作用的“气体”。这种电子“液体”仍然非常导电，但是可见光波段的反射却大大降低，从而提高了透明度。　　11、第三代半导体　　　　碳化硅、氮化镓、氧化锌、氮化铝等宽紧带半导体材料。具有宽的禁带宽度，高的击穿电场，高的热导率，高的发光效率