血管性痴呆大鼠脑内超微结构变化及生长抑素和nnos的表达

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1、血管性痴呆大鼠脑内超微结构变化及生长抑素和nNOS的表达宋志宇卢宏孙玉华魏建科谭岩方艳秋【摘要】目的研究血管性痴呆(VD)大鼠生长抑素(SS)、一氧化氮合酶(nNOS)的变化，探讨两者与认知功能的关系。方法将30只14～15atostatin(SS),nitricoxidesynthase(nNOS)ofthevasculardementia(VD)rats,andtoexploretherelationshipbetandthecognitivefunction.Methods3014～15montholdratslydividedin

2、toshamoperation(SOG)andmodelgroups(MDG),MDGgroupalmodelofthechronicfrontcerebralischemia.SOGgroupaincarotidartery,butazetestemoryoftherats.Thetransmissionelectronmicroscopemunohistochemicalmethodpusandtemporalcortex.ResultsIntheazetest,theescapelatencyoftheMDGrats〔(69.70±4.

3、77)s〕berofcrossplatformofMDGrats(1.80±1.31)ainhippocampalneurons,karyopyknosisorcollapse,andmitochondrialsmunohistochemistryresultsshopusporallobepusporallobeemoryofVDratsentia;orris水迷宫)〔3〕分为定位航行实验及空间搜索实验两部分。定位航行实验：实验历时5d，第1天让大鼠自由游泳2min;从第2天起，每天分上、下午两段，每段训练4次，每次训练间隔为60s。训练

4、时随机选择一个入水点，将大鼠面向池壁放入水中，记录大鼠寻找并爬上平台时所需时间(即潜伏期)。如果大鼠在120s内未找到平台，须将其引至平台，这时潜伏期计为120s。空间搜索实验：在第5天最后一次训练后撤除水下平台，在同一入水点将大鼠面向池壁放入水中，测其在120s内跨过原平台相应位置的次数。术后61d按上述方法进行学习记忆测试，按痴呆标准以假手术组大鼠逃避潜伏期的平均值作为参考值，计算VD大鼠逃避潜伏期的平均值与参考值之差占该鼠逃避潜伏期的比值，若该值大于20%为痴呆鼠。　　1.3电镜标本的制备大鼠断头处死后，参照大鼠脑图谱，迅速切取右侧海马

5、区组织块，迅速放入4℃预冷的4%戊二醛中固定，常规脱水、Epon812环氧树脂包埋，LKB超薄切片,醋酸双氧铀和柠檬酸铅双重染色，应用日立H7500型透射电镜观察。　　1.4免疫组化试剂及方法SS兔抗大鼠多克隆抗体、神经元型NOS(nNOS)兔抗大鼠多克隆抗体、免疫组化链霉菌抗生物素蛋白过氧化物酶(SP)试剂盒(均购自武汉博士德生物工程有限公司)，采用SP免疫组化技术，实验步骤按试剂盒说明进行操作。将石蜡包埋组织连续4μm切片，常规二甲苯脱腊，梯度酒精水化，进行微波抗原修复，PBS代替一抗作为阴性对照，用已知阳性切片作阳性对照。在海马

6、CA1区及颞叶皮层，分区选择3个相邻视野，在400倍光镜下作免疫反应阳性神经元计数，结果取3个视野的平均值。　　1.5统计学处理实验数据以x±s表示，组间比较采用t检验，所有数据采用运用SPSS11.5医学统计学软件处理。　　2结果　　2.1行为学测试应用水迷宫实验，对两组大鼠学习记忆成绩进行比较，结果表明MDG组大鼠的逃避潜伏期较SOG组明显延长(P0.05)，MDG组大鼠的跨平台次数较SOG组明显减少(P0.05)，见表1，说明VD大鼠学习记忆能力降低。表1水迷宫试验中小鼠的学习和记忆成绩与SOG组比较：1)P0.05，下表同　　2.2透

7、射电镜观察SOG组可见神经元核膜完整，细胞器结构正常，线粒体结构清晰，可见溶酶体、粗面内质网。MDG组可见神经细胞高度水肿，细胞核变性，核固缩或崩解;线粒体肿胀，嵴的双层膜结构不清、断裂、萎缩，重者线粒体高度空泡化，正常线粒体少见;粗面内质网严重脱颗粒。见图1。　　2.3海马区及颞叶皮层区SS、nNOS阳性细胞表达情况免疫组化结果表明，与SOG组比较MDG组SS的表达明显下降(P0.05)，nNOS的表达明显增加(P0.05)，见表2、图2。表2海马区及颞叶皮层区SS、nNOS阳性细胞表达情况　　3讨论　　智能障碍是VD的主要症状，其中学习记

8、忆能力减退尤为明显。本研究行为学结果显示，MDG组的逃避潜伏期明显延长，跨越平台次数也明显减少，表明VD大鼠学习记忆能力降低，与文献报道一致〔1〕。　　本研究透射电