功率场效应管在pdp驱动电路中的应

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1、功率场效应管在PDP驱动电路中的应用康佳集团　梁宁2004年11月15日等离子电视（PDP）是利用惰性气体放电产生的真空紫外线VUV，激发低能荧光粉发光来实现彩色图像显示的。PDP工作需要驱动电路产生高压脉冲来驱动屏体电极。PDP驱动电路中存在大量的功率开关器件，并要求功率开关器件有极快的开关速度（包括由导通转向截止的过渡时间Toff，和由截止转向导通的过渡时间Ton），以及大电流、高耐压的要求。0V176V350V-70VPDP部分高压驱动波形场效应管（MOSFET）由于具有如下优点而广泛应用于PDP驱动电路中，这些优点主要是：（1）场效应管是多数载流子导电，不存在少数载

2、流子的存储效应，从而有较高的开关速度。（2）具有较宽的安全工作区而不会产生热点和二次击穿，同时它具有正的温度系数，容易并联使用，可以解决大电流问题。（3）具有较高的开启电压，即阈值电压，因此具有较高的噪声容限和抗干扰能力，给电路设计和调试带来很大的方便。（4）由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此驱动功率小，而且驱动电路简单。可见，这些优点是双极晶体管不具备的。PDP驱动电路是一种高压开关电路，电压幅值负几十伏到正几百伏左右，工作频率100~233kHz，驱动电路的设计选型对PDP的画面质量尤为重要。在基于“开关”的驱动电路设计完成后，需要解决两个问题：一是选择合适

3、的MOS管替代驱动电路中的“开关”，二是进行MOS管的栅极驱动电路设计。K1Us基于“开关”的电路基于“MOS管”的电路UsK2K3M1M2M3M4说明：K3是“双向”开关，用2只N型MOS管实现。另外，PDP驱动电路中，大多选用性价比高的N型MOS管。MOS管的选型就是选择参数合适的MOS管，使驱动电路能够高效率、稳定地工作，且寿命满足要求。简单地说，就是要求MOS管的过渡过程要足够快，以便减少开关损耗；导通电阻足够小，以便减少导通损耗；关断电阻足够大，以便提高隔离作用，同时兼顾成本因素。一、MOS管的选型（1）耐压BVdss(V)（2）最大直流漏电流Id(A)（3）漏源

4、导通电阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏极功耗Pd(W)（5）输入电容Ciss(pF)（6）上升时间tr(ns)导通时间ton(ns)下降时间tf(ns)关断时间toff(ns)反向恢复时间trr(ns)（7）栅极总电荷Qg(nC)（8）沟道温度Tch（℃）　结温度Tj（℃）（9）微分电压dv/dt(V/ns)（10）热阻Rthck(K/W)MOS管的参数很多，达几十个，下面给出了一些设计中要重点考虑的参数，括号内为常用单位：在PDP驱动电路设计中，在Vdss、Id、Pd等满足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg参数要认真考虑，Rds(on)为导通电阻，低

5、的导通电阻有助于减少导通损耗，特别是与“能量回收电路”相关的MOS管（图中的M1、M2、M3、M4），低的导通电阻有助于提高能量回收的效率，降低PDP的功耗。UsM1M2M3M4LXCsCptrr、Ciss、Qg参数影响MOS管的开关速度，低的参数值能够加快MOS管的转换过程，有助于减少MOS管的开关损耗。另外，低的Ciss和Qg参数，能够减少MOS管栅极的驱动功率，简化栅极驱动电路的设计。MOS管存在两种转换过程：一是导通转换过程，二是关断转换过程。右图为MOS管导通转换过程的示意图，导通转换过程分为4个区间，Vgs－t曲线是单调递增的，对应于MOS管栅极电容的充电过程，

6、区间Ⅲ的平台是由于MOS管的密勒电容引起的。可以看出，区间Ⅱ和Ⅲ的电压与电流重叠，是MOS管导通过程功耗最大的区域。ⅠⅡⅢⅣIdVdstⅠⅡⅢⅣVgstVth二、MOS管的栅极驱动电路设计。(a)导通过程，栅极电压Vgs-t曲线(b)导通过程，漏源电压Vds与漏极电流Id的变化关断转换过程也分为4个区间，Vgs－t曲线是单调递减的，对应于MOS管栅极电容的放电过程，区间Ⅱ的平台也是由于MOS管的密勒电容引起的。可以看出，区间Ⅱ和Ⅲ的电压与电流重叠，是MOS管关断过程功耗最大的区域。(c)关断过程，栅极电压Vgs-t曲线(d)关断过程，漏源电压Vds与漏极电流Id的变化ⅠⅡⅢ

7、ⅣIdVdstⅠⅡⅢⅣtVgsVth通过以上对MOS管转换过程的分析，得出对MOS管栅极驱动电路的要求：（1）栅极驱动电路的延迟时间要小，有助于减少栅压Vgs的上升时间。（2）栅极驱动电路的输出峰值电流要大，大的峰值电流可以大大缩短密勒电容的充放电时间，从而缩短平台的持续时间。（3）栅极驱动电压的变化率dv/dt要大，以便缩短栅压Vgs的上升或下降时间。满足上述要求的栅极驱动电路，能够加快MOS管的转换过程，减少电压Vds与电流Id的重叠区域，有助于减少MOS管的开关损耗。也就是说，栅极驱动电路是影响MOS开关损耗