《逻辑门电路 》ppt课件

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1、第三章逻辑门电路3.1晶体管的开关特性3.2基本逻辑门电路3.3TTL逻辑门3.4其他双极型电路3.5MOS逻辑门3.6编程逻辑器件(PLD)简介实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路与或非与非或非异或与或非3.1晶体管的开关特性3.1.1概述与门或门非门与非门或非门异或门与或非门第三章逻辑门电路一、逻辑变量与两状态开关低电平高电平断开闭合高电平3V低电平0V二值逻辑:所有逻辑变量只有两种取值(1或0)。数字电路:通过电子开关S的两种状态(开或关)获得高、低电平，用来表示1或0。3V3V逻辑状态1001S可由二极管、三极管或MOS管实现二、高、低电平

2、与正、负逻辑负逻辑正逻辑0V5V2.4V0.8V高电平和低电平是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。010V5V2.4V0.8V10三、分立元件门电路和集成门电路1.分立元件门电路用分立的元器件和导线连接起来构成的门电路。2.集成门电路把构成门电路的元器件和连线，都制作在一块半导体芯片上，再封装起来。常用：CMOS和TTL集成门电路四、数字集成电路的集成度一块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数小规模集成电路SSI(SmallScaleIntegration)<10门/片或<100元器件/片中规模集成电路MSI(MediumScaleIntegration

3、)10~99门/片或100~999元器件/片大规模集成电路LSI(LargeScaleIntegration)100~9999门/片或1000~99999元器件/片超大规模集成电路VLSI(VeryLargeScaleIntegration)>10000门/片或>100000元器件/片3.1.2晶体二极管的开关特性一、静态特性1.外加正向电压(正偏)二极管导通(相当于开关闭合)2.外加反向电压(反偏)二极管截止(相当于开关断开)硅二极管伏安特性阴极A阳极KPN结-AK+P区N区++++++++--------正向导通区反向截止区反向击穿区0.50.7/mA

4、/V0D+-+-二极管的开关作用：[例]uO=0VuO=2.3V电路如图所示，试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通[解]D0.7V+-二、动态特性1.二极管的电容效应结电容Cj扩散电容CD2.二极管的开关时间电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成tt00(反向恢复时间)≤ton—开通时间toff—关断时间一、静态特性NPN3.1.3晶体三极管的开关特性发射结集电结发射极emitter基极base集电极collectorbiBiCec(电流控制型)1.结构、符号和输入、输出特性(2)符号NNP(Transistor)(1)结构(3)

5、输入特性(4)输出特性iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAiB=0024684321放大区截止区饱和区0uBE/ViB/µA发射结正偏放大iC=iB集电结反偏饱和iC＜iB两个结正偏ICS=IBS临界截止iB≈0,iC≈0两个结反偏电流关系状态条件2.开关应用举例发射结反偏T截止发射结正偏T导通+RcRb+VCC(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k放大还是饱和？饱和导通条件：+RcRb+VCC+12V+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k≤因为所以二、动态特性3-2t00.9ICS0.1IC

6、St030.3t0uYuAuBR0D2D1+VCC+10V3.2基本逻辑门电路3.2.1二极管与门电路及或门电路一、二极管与门3V0V符号:与门（ANDgate)ABY&0V0VUD=0.7V0V3V3V0V3V3V真值表ABY000110110001Y=AB电压关系表uA/VuB/VuY/VD1D200033033导通导通0.7导通截止0.7截止导通0.7导通导通3.7二、二极管或门uY/V3V0V符号:或门（ANDgate)ABY≥10V0VUD=0.7V0V3V3V0V3V3VuYuAuBROD2D1-VSS-10V真值表ABY00011011011

7、1电压关系表uA/VuB/VD1D200033033导通导通-0.7截止导通2.3导通截止2.3导通导通2.3Y=A+B正与门真值表正逻辑和负逻辑的对应关系：ABY000110110001ABY=AB&负或门真值表ABY111001001110AB≥1同理：正或门负与门一、半导体三极管非门T截止T导通3.2.2晶体三极管非门电路饱和导通条件:+VCC+5V1kRcRbT+-+-uIuO4.3kβ=30iBiCT饱和因为所以电压关系表uI/VuO/V0550.3真值表0110AY符号函数式+VCC+5V1kRcRbT+-+-uIuO4.3kβ=30i

8、BiC三极管非门:AY1AY+VCC+5VR14kAD2T1T2