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时间：2018-11-29
《cmos模拟集成电路设计_ch11基准》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、CMOS模拟集成电路设计带隙基准什么是基准？theidealreferenceisindependentofPVT模拟集成电路中，我们常常要用到基准电压或电流（其大小不随工艺偏差、电源电压和温度变化）基准电压运用举例电阻型基准优点缺点为了获得与电源电压无关的基准电压，我们使用自偏置结构的基准源自偏置的MOS基准源Bootstrapped自举Bootstrappingorbootingreferstoagroupofmetaphorsthatshareacommonmeaning:aself-sustainingprocessthatproceedswithoutextern
2、alhelp忽略沟调效应的情况下，IREF、IOUT相互比例复制，与VDD无关，可以为任意值！使用共源共栅结构，削弱沟道长度调制效应的影响在忽略沟调效应的影响下，电流镜使两边电流相等IIVsVs为了唯一确定电流值，我们对电路加入另一个约束条件因为电流相等，下面NMOS的VGS相等，即源极电压VS相等IIVsVs二极管的电压电流满足指数关系：因为VS相等，有选择R的阻值，我们可以得到想要的电流大小，该电流与电源电压无关。现在我们来探讨一下，怎样得到一个与温度无关（零温度系数）的电压量。正温度系数（PTAT）负温度系数（CTAT）按照适当的比例想加就可以得到零温度系数PTAT电
3、流PTAT电压CTAT电压调整比例L使正负温度系数抵消可以看到要得到准确的零温系数，电阻的比例L非常关键。因此电阻的阻值大小可能需要Trimming。用运放代替共源共栅结构，使两边电流精确相等。启动电路
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