不同栽培容器对温室基质培西瓜品质及产量的影响

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1、不同栽培容器对温室基质培西瓜品质及产量的影响（宁夏农林科学院种质资源研究所，银川750002）中国7/vie　　【摘要】试验比较了不同栽培容器对温室基质培西瓜生长、品质及产量的影响，结果表明：不同栽培容器对于西瓜根系生长量影响较大，地下部鲜重的变异系数达到29.4；对于果实鲜重影响较小，变异系数为11.88；而对于果实品质没有显著影响。TR5（黑膜容器）和TR1（PVC30管容器）的西瓜根际温度最为稳定；TR1的产量最高，达2588kg/667m2；TR4（栽培袋）种植的西瓜产量最低，仅为1828kg/667m2。试验发现利用PVC管材

2、制作的无土栽培容器，直径越大，西瓜长势越好，产量越高；黑膜包裹栽培的西瓜长势较TR1弱，但强于其他处理；袋培种植的西瓜长势、产量最低。综合产量与品质指标，结合容器造价及基质用量，发现黑膜栽培方式每667m2造价最低，基质根际温度稳定，产量较高，操作简易，是一种高产优质、经济可行的栽培方式。　　过“九五”起步到“十二五”的快速发展，宁夏设施园艺面积发展已过百万亩，约70%设施园艺种植的产量和效益稳步提高，平均每667m2产值达到1.8万元以上，最高可达4万元以上[1]。无土栽培是解决土壤连作障碍和盐碱荒沙地高效利用的有效途径之一，在宁夏以

3、农业生物质为主要原料的蔬菜有机基质设施栽培面积也逐年增加，但目前推广的有机基质栽培系统多采用基质槽式栽培[2]，栽培模式较为单一。西瓜是日光温室内主要栽培的蔬菜种类之一，追肥量[3]、不同槽式栽培[4]、栽培技术[5-6]等是有机基质栽培西瓜的研究重点。栽培模式主要采用槽式栽培，包括地上和地下2种形式，但其基质用量（750m3/hm2左右）较大，造成栽培成本过高，在生产中难以大面积推广，因此选择不同有机基质栽培容器，比较研究西瓜生长发育及运行的经济效益，筛选经济实用的温室西瓜有机基质栽培模式，对扩大推广有机基质栽培模式有重要的实践意义。

4、试验通过采用不同形状、容积及材质的容器，比较不同容器对于西瓜根际温度、生长、产量及品质的影响，探索西瓜无土栽培的适宜栽培方式，为有机基质栽培西瓜高效栽培模式的制定提供科学依据。　　材料与方法　　供试材料　　试验于2014年在宁夏银川市贺兰县园艺产业园科研开发区内的日光温室进行。栽培容器分别为直径0.3、0.2、0.16m的PVC管，以及栽培袋和0.08mm厚的聚乙烯黑膜。PVC管安装成7m长的管道，利用裁刀在管道上面的一侧通长裁掉10cm宽的管壁，填放基质，按行距1.5m摆放PVC管；栽培袋每畦摆放2排，每排放14袋，每畦间距1.5m；

5、黑膜裁成1m宽、7m长，放在地表，将基质均匀放在中间，两侧黑膜合拢用长尾夹夹住，在黑膜两边打孔，外包反光膜。每个小区均定植42株西瓜苗，3次重复，折合每667m2定植2668株苗（表1）。　　试验方法　　栽培作物为礼品西瓜品种――台湾农友‘华玲’。2014年5月15日穴盘育苗，6月16日定植。栽培基质为宁夏天缘农业科技开发公司生产的“壮苗二号”，基质空隙度为80%，容重0.24g/cm3，含盐量10g/kg，pH值为6.5。不同栽培方式均采用滴管方式灌水，统一水肥管理，西瓜均留3条蔓，主蔓坐瓜，瓜膨大时，2条侧蔓摘心。　　测试项目　　西

6、瓜授粉35天后采收，每个小区取5株，调查地上部、地下部、果实鲜重。干物质含量采用烘干称重法测定，采用蒽酮比色法测定可溶性糖含量[7]，有机酸含量采用NaOH滴定法测定，可溶性固形物采用手持糖量计测定[8]。利用国家农业智能装备工程技术研究中心研制的温室娃娃，在8月15日监测不同处理的西瓜根际温度。数据采用DPS软件进行Duncan多重比较差异显著性。变异系数C・V=（标准差SD/平均值）×100%。　　结果与分析　　不同无土栽培容器对礼品西瓜生长量的影响　　试验发现，不同无土栽培容器对于西瓜物质积累产生了显著的影响（表2），TR1、TR

7、5果实、茎叶及根系生长量处于第一梯队，显著高于其他处理，TR2、TR3的物质积累处于第二梯队，TR4的植株生长量最小。处于第一梯队的TR1和TR5之间没有显著差异，但二者容器材质、体积差异较大，TR5的基质用量只是TR1的1/3。TR2和TR3材质一样，但TR3的基质用量是TR2的63.6%，也是5个处理中基质用量最少的处理。TR4基质用量较小，和其他处理的区别是采用独立成袋的包装基质，在同一水肥管理条件下，它的干湿交替明显，植株生长量最小。通过计算变异系数发现不同容器栽培对于西瓜根系生长的影响最大，地下部鲜重的变异系数达到29.4；对

8、于果实鲜重影响相对较小，变异系数为11.88。　　不同栽培容器对西瓜根际温度的影响　　由图1可见，TR5的根际平均温度最高为22.41℃，变异系数为3.83，TR1的根际平均温度为22.34℃，变异系数为3