铜掺杂硒化银材料的制备和性能研究硕士论文

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1、分类号学号M200970104学校代码10487密级硕士学位论文铜掺杂硒化银材料的制备和性能研究学位申请人：兰中停学科专业：凝聚态物理指导教师：于晓凌副教授答辩日期：2012年1月AThesisSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofScienceStudyonthePreparationProcessandPropertiesOfcopper-dopedsilverselenideCandidate：LanZhongtingMajor：CondensedMatterPhysicsS

2、upervisor：YuXiaolingHuazhongUniversityofScience&TechnologyWuhan430074,P.R.ChinaJan,2012独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并

3、向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密□，在年解密后适用本授权书。不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日华中科技大学硕士学位论文摘要各国的学者都运用掺杂这种方法来研究材料新的结构和性能。自掺杂的非化学计量比的硒化银和碲化银材料产生了非常大的奇特的线性磁电阻效应（LMR）,即电阻率随着磁场的增加而发生线性变化。这种线性变化在较宽的温度范围(1K300K)和超宽的

4、磁场范围(1mT55T～)都存在。这种奇异的线性磁电阻效应因其潜在巨大应用价值已引起了研究者的广泛关注，本文通过铜掺杂探索对AgSe的结构和性能影2响。本文通过对五种实验方案的研究，探索利用化学沉降法制备铜掺杂AgSe的可2行性以及它的工艺。实验中对五种方案所得产物进行表征分析，结果表明只有第五种方案比较合适。分析表明：在利用化学沉降制备粉末样品的过程中，原料的反应时间和原料加入的顺序是非常重要的工艺参数，反应时间为10h左右比较合适；原料加入的顺序会影响所得产物，分阶段加入原料时杂质能够掺杂进去；在固相合成过程中，预烧结、烧结的最高温度和在最高温度点下的保温时间是重要

5、的工艺参数，实验发现只有在300℃左右对粉末样品进行预烧结，并且烧结温度在450℃500℃的范围内都可以烧结出比较致密的硒化银晶体。在烧结过程中通入氩气或者氮气作为保护气体。本文通过改变化学反应中硒、铜以及银的相对含量，利用化学沉降法得到含不同铜掺杂量的过量银的硒化银纳米颗粒，然后通过固相合成法制备出块状晶体。采用XRD、XRF和FSEM对制备的硒化银进行表征，结果表明，在固相烧结过程，当降温为自然降温，XRD的图谱和标准的硒化银一致，而当快速降到室温的情况下，所有的特征峰都出现了，但最强峰的位置发生了偏移。FSEM测试结果表明，样品结晶良好，样品中存在空洞，样品微观区域出现

6、了纵向生长趋势。在本文的最后，对铜掺杂过量银硒化银晶体的物理性能进行了研究。结果表明，硒化银晶体为n型半导体，其禁带宽度约1.251.30eV～，为窄禁带半导体。I华中科技大学硕士学位论文关键词：铜掺杂；硒化银；线性正磁电阻效应；II华中科技大学硕士学位论文AbstractDopedmaterialscanoftenmakeagreatchangeintheproperty.Scholarsfromvariouscountriesshowmuchinterestinusingthismethodtoresearchthenewstructureandperformanceofm

7、aterials.Smallself-dopednonstoichiometricsilverchalcogenideshaveshownunusuallylarge,positiveandlinearmagnetoresistanceeffect(LMR),whichmeansthechangeoftheresistivityisinlinearproportiontothechangeofmagneticfield.Thisexhibitsalineardependenceonmagne