mos集成电路教案073

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1、课号1授课班级微电073授课时间2月16日星期一授课时数2授课单元名称绪论：MOS集成电路简介1．1MOS管的一般介绍授课设计主要教学知识或能力要求集成电路的概述及其发展过程主要教学方法比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。图形法：通过图示来讲解物理知识。主要教学互动点通过数据引出集成电路的发展趋势；启发学生回忆MOS管的结构。采用教辅手段多媒体教学内容处理本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。53授课环节引入新课通过讨论集成电路概念引入新课教学内容及主要板书一、集成电路发展历程集成电路(IC

2、—IntegratedCircuit)的概念：把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。1、集成电路规模：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI2、特征线宽：微米、亚微米、深亚微米、超深亚微、纳米3、晶圆直径：1.5吋、2吋、3吋、4吋、6吋、8吋、12吋、16吋二、集成电路概述1、定义：把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。2、集成电路的优点：a.高集成度b.高速度c.高可靠d.低成本e.低功耗3、集成电路的类别a.按结构分类b.按功能分类教学小结本次课重点讲解集成电路基本

3、概念和发展历程课后作业无课后总结53课号2授课班级微电073授课时间2月17日星期二授课时数2授课单元名称第一章MOS晶体管原理与特性1.2MOS管的物理基础（一）授课设计主要教学知识或能力要求MOS管的结构及工作原理主要教学方法比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。图形法：通过图示来讲解物理知识。启发法：通过提示的方法，发挥同学的主动性去理解问题。主要教学互动点对工作原理的分析。工作原理一句话:Gate一打开,Source中的载流子就源源不断地漏到Drain中去了。采用教辅手段无教学内容处理本次

4、课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。53授课环节引入新课直接引入教学内容及主要板书栅极G一、MOSFET的结构漏极D源极SSiO2N+N+B极N沟MOSFET截面图二、工作原理以N沟道增强型MOS管为例：当VGS>VT时，产生沟道，载流子在VDS的作用下从源区漂移到漏区，产生漏源电流IDS。随VGS的增加，沟道导电能力增强，IDS增大。三、类型N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型四、特点教学小结本次课重点学习基本晶体结构，并要求学生掌握晶胞中原子的空间占有率课后作业无课后总结53课号3授课班

5、级微电073授课时间2月23日星期一授课时数2授课单元名称1.2MOS晶体管的物理基础（二）授课设计主要教学知识或能力要求一、理想MOS系统的硅表面：载流子积累、耗尽和反型二、表面势及空间电荷区的电荷三、MOS电容主要教学方法比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的理解。图形法：通过图示来讲解物理知识。主要教学互动点在不同的电场情况下，半导体表面的能带弯曲情况。讨论MOS电容的构成采用教辅手段无教学内容处理本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。53授课环节引入新课由回忆MOS结构来引出新的课程教学内容

6、及主要板书一、理想MOS系统：载流子积累、耗尽和反型二、表面势及空间电荷区1、表面势：2、空间电荷区的电荷密度：三、MOS电容教学小结本次课内容主要是对MOS晶体管的物理基础的介绍，要打好基础课后作业P311.2课后总结53课号4授课班级微电073授课时间2月24日星期二授课时数2授课单元名称1.2MOS晶体管的物理基础（三）授课设计主要教学知识或能力要求实际MOS系统的硅表面MOS器件的阈值电压主要教学方法承上启下法：根据上次课内容的知识迁移到本次课要展开的内容。比较法：过比较两个相近知识的异同，加深对知识的

7、理解。图形法：通过图示来讲解物理知识。主要教学互动点讨论实际MOS系统的平带电压采用教辅手段无教学内容处理本次课内容依据教学计划,按照教学大纲编写。53授课环节引入新课教师直接引入所讲的内容。教学内容及主要板书四、实际MOS系统的硅表面1、功函数差的影响2、氧化层中有效表面态电荷的影响五、MOS器件的阈值电压1、平带电压：2、理想MOS系统的阈值电压：3、实际MOS系统的阈值电压：六、影响阈值电压的因素1、短沟道效应2、背面栅效应教学小结本次课由以往知识引入，并且涉及到许多细节,需要耐心讲解。课后作业P311.

8、51.14课后总结53课号5授课班级微电073授课时间3月2日星期一授课时数2授课单元名称1.3MOS晶体管的输出特性授课设计主要教学知识或能力要求一、MOS管的输出特性二、MOS管的I-V特性方程主要教学方法启发法：通过提示的方法，发挥同学的主动性去理解问题。承上启下法：根据上次课内容的知识迁移到本次课要展开的内容。图形法：通过图示来讲解物理知识。主要教学互动点定性讨论MOS管的输出