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时间:2018-11-22
《直流非平衡电桥实验附录.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、直流非平衡电桥实验附录1.非平衡电桥工作原理非平衡电桥的电路如图所示,桥臂电阻R1、R2、R3保持不变,当Rx变化时,I0≠0,U0随之变化,而U0的大小反映了电阻的变化情况,如果我们把B、D两点的不平衡电压信号U0(或电流信号)引出来加以测量,就可以根据U0与Rx的函数关系,通过检测连续变化的U0就可以检测连续变化的Rx,若连接Rx桥臂上的不是电阻,而是非电量的转换元件(如传感器),则可检测连续变化的非电量。这就是非平衡电桥工作的基本思路。BD图1直流非平衡电桥电路图根据非平衡电桥桥臂上电阻满
2、足的关系,其桥路有如下几种形式:(1)等臂电桥:电桥的四个桥臂电阻阻值相等。即R1=R2=R3=Rx0;其中Rx0是Rx的初始值,对应于电桥平衡状态U0=0(2)卧式电桥也称输出对称电桥:这时电桥的桥臂电阻对称于输出端UBD,即R1=R3,R2=RX0,但R1≠R2(3)立式电桥也称电源对称电桥:这时从电桥的电源端看桥臂电阻对称相等即R1=R2RX0=R3但R1≠R3(4)比例电桥:这时桥臂电阻成一定的比例关系,即R1=KR2,R3=KRX0或R1=KR3,R2=KRX0,K为比例系数。实际上这
3、是一般形式的非平衡电桥。非平衡电桥的输出电压公式推导:当电桥处于非平衡态时,B、D两端电压不为零,即:U0≠0,此时,U0的大小即为非平衡电桥的输出。按照非平衡电桥的输出接负载的大小不同,输出又可分为两种:一种是负载阻抗相对于桥臂电阻很大,如输入阻抗很高的数字电压表(本实验即为此类)或输入阻抗很大的运算放大电路;另一种是负载阻抗较小,几乎与桥臂电阻相比拟。后一种由于非平衡电桥需输出一定的功率故又称为功率电桥。根据戴维南定理,图1(b)所示的桥路可等效为图2(a)所示的二端口网络。【戴维南定理:任
4、何有源线性两端网络(仅有两个引出端与外界连接的网络),可用一个恒压源串联一个等效阻抗来代替,该恒压源的电动势等于两端网络的开路电压(断开负载),而等效阻抗等于网络中各独立电源用其内阻替代后(简化为电源短路),在两输出端呈现的阻抗】图2(a)图2(b)其中U0C为等效电源,Ri为等效内阻。由图1可知,在RL=∞时,等效电源电压值为:根据戴维南定理,将E电源短路,得到图2(b)电路,据此可求出电桥等效内阻:根据图2(a)电路,得到电桥接有负载RL时输出电压:(1)当负载RL→∞时,电桥的输出电压(2
5、)当被测电阻是一个持续变化的量,根据(1)式,可进一步分析电桥输出电压和被测电阻阻值关系。令Rx=RX0+ΔR,Rx为被测电阻,ΔR为电阻变化量。根据(1)式,因为RX0为其初始值,此时电桥平衡,有,所以(3)当RL=∞时,因为,所以,代入上式有(4)(3)、(4)式就是一般形式非平衡电桥的输出与被测电阻的函数关系。特殊地,对于等臂电桥和卧式电桥(等臂:R1=R2=R3=Rx0;卧式:R1=R3,R2=RX0,但R1≠R2)(4)式简化为(5)当被测电阻的ΔR<6、(6)(5)式可进一步简化为(7)这时U0与△R成线性关系2、用非平衡电桥对半导体热敏电阻的“电阻-温度”特性进行线性化由于半导体热敏电阻,其电阻对温度非常敏感,常被用作温度传感器来对非电学量进行测量。然而,半导体热敏电阻具有负的电阻温度系数,电阻值随温度升高而迅速下降(这是因为热敏电阻由一些金属氧化物如Fe3O4、MgCr2O4等半导体制成,在这些半导体内部,自由电子数目随温度的升高增加得很快,导电能力很快增强;虽然原子振动也会加剧并阻碍电子的运动,但这种作用对导电性能的影响远小于电子被释放而7、改变导电性能的作用,所以温度上升会使电阻值迅速下降)。不同温度时,对应的电阻RT有不同的值,电桥的U0也会有相应的变化。这时U0与T的关系是非线性的,会造成显示和使用不方便。这就需要根据U0与T的函数关系对热敏电阻进行线性化改造,称为传感器非线性特性的线性化,是传感器应用中十分重要的问题。下面我们利用非平衡电桥的方法来对热敏电阻的“电阻-温度”特性进行线性化改造①热敏电阻的电阻温度特性可以用下述指数函数来描述:(8)式中:A是与电阻器几何形状有关的常数。B为与材料半导体性质有关的常数,T为绝对温8、度。为了获得常数A和B,可将式(8)进行曲线改直,即:两边取对数(9)选取不同的温度T,得到不同的RT。根据(9)式,当T=T1时有:lnRT1=lnA+B/T1;T=T2时有:lnRT2=lnA+B/T2将上两式相减后得到(10)将(10)代入(8)可得(11)常用半导体热敏电阻的B值约为1500~5000K之间。②用非平衡电桥进行热敏电阻线性化设计的方法。在图1中,R1、R2、R3为桥臂测量电阻,具有很小的温度系数,Rx为热敏电阻,由于只检测电桥的输出电压,故RL开路,根据(2)式有式中可见
6、(6)(5)式可进一步简化为(7)这时U0与△R成线性关系2、用非平衡电桥对半导体热敏电阻的“电阻-温度”特性进行线性化由于半导体热敏电阻,其电阻对温度非常敏感,常被用作温度传感器来对非电学量进行测量。然而,半导体热敏电阻具有负的电阻温度系数,电阻值随温度升高而迅速下降(这是因为热敏电阻由一些金属氧化物如Fe3O4、MgCr2O4等半导体制成,在这些半导体内部,自由电子数目随温度的升高增加得很快,导电能力很快增强;虽然原子振动也会加剧并阻碍电子的运动,但这种作用对导电性能的影响远小于电子被释放而
7、改变导电性能的作用,所以温度上升会使电阻值迅速下降)。不同温度时,对应的电阻RT有不同的值,电桥的U0也会有相应的变化。这时U0与T的关系是非线性的,会造成显示和使用不方便。这就需要根据U0与T的函数关系对热敏电阻进行线性化改造,称为传感器非线性特性的线性化,是传感器应用中十分重要的问题。下面我们利用非平衡电桥的方法来对热敏电阻的“电阻-温度”特性进行线性化改造①热敏电阻的电阻温度特性可以用下述指数函数来描述:(8)式中:A是与电阻器几何形状有关的常数。B为与材料半导体性质有关的常数,T为绝对温
8、度。为了获得常数A和B,可将式(8)进行曲线改直,即:两边取对数(9)选取不同的温度T,得到不同的RT。根据(9)式,当T=T1时有:lnRT1=lnA+B/T1;T=T2时有:lnRT2=lnA+B/T2将上两式相减后得到(10)将(10)代入(8)可得(11)常用半导体热敏电阻的B值约为1500~5000K之间。②用非平衡电桥进行热敏电阻线性化设计的方法。在图1中,R1、R2、R3为桥臂测量电阻,具有很小的温度系数,Rx为热敏电阻,由于只检测电桥的输出电压,故RL开路,根据(2)式有式中可见
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