led灯生产工艺

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1、LED灯生产工艺§1LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。图2.1LED制造流程图制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选成品：芯片晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片成品：单晶片、外延片封装：固晶焊线树脂封装切脚测试分选成品：LED灯珠、LED贴片和组件上游下游中游§2LED芯片生产工艺LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的

2、功率和亮度的提高。LED上游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。图2.2蓝光外延片微结构图P型GaNP型AlGaNInGaN量子阱（well）N型InGaNN型AlGaNGaN缓冲层（buffer）蓝宝石衬底（subatrate）P型GaNN型GaN正极负极生产出高亮度LED芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是LED发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1

3、WLED流明值已经达能到150lm之高。LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族

4、的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备然后是对LEDPN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片了。图2.3LED生产流程基板（衬底）磊晶制程（扩散、溅射、化学气相沉淀）磊晶片清洗蒸镀黄光作业化学蚀刻熔合研磨切割测试单晶炉、切片机、磨片机等

5、外延炉（MOCVD）清洗机蒸镀机、电子枪烘烤、上光阻、照相曝光、显影刻蚀机减薄机、清洗机切割机探针测试台、颗粒度检测仪§3大功率LED生产工艺作为LED节能灯光源的大功率LED，它是LED节能灯的核心部分。大功率LED的生产工艺如何直接影响LED的性能，进而影响LED灯具的性能，如光衰、光效等。§3.1LED封装工艺流程以大功率LED封装产品为例，介绍它的封装制程如下：图2.4大功率LED封装制程扩晶框晶晶片银胶解冻搅拌固晶烘烤焊线灌胶長烤点胶固检推力检查拉力检查支架金線胶荧光粉Lens测试包裝入库

6、品检外观分BINQA切脚测试搅拌配胶抽气套Lens搅拌配胶抽气§3.2大功率LED生产工艺流程站别使用设备及工具作业条件备注固晶1.储存银胶冰箱2.银胶搅拌机3.扩晶机4.固晶机（如AD809）5.烤箱6离子风扇1．储存银胶：0℃一下保存。2．银胶退冰：室温4小时3．扩晶机温度：50℃±10℃4．点银胶高度为晶片厚度的1/45．作业时静电环必须做测试记录6．固晶时须使用离子风扇，离子风扇正面与晶片距离为20cm～140cm之间。7．晶片固于支架杯子正中央，偏移量小于1/4晶片宽度，具体参考固晶图。8

7、．烤银胶条件：150℃±10℃/2小时。焊线1.339EG焊线机2.1.2mil的瓷嘴3.大功率打线制具1．339EG焊线机热板温度﹕150℃±10℃，焊线方式参固晶焊线图。2．瓷嘴42K更换一次。注﹕焊线时第二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位置(打斜线区域)焊线。点胶1.电子称2.烤箱3.抽真空机4.点胶机1．抽气时间：１个大气压/5mins。2．荧光胶烘烤条件﹕120℃±10℃/2Hrs。荧光胶配比参考实验数据。套盖1.镊子1.在套Lens前材料要用150℃±10℃烘烤15分钟﹐然而lens

8、也要烘烤80℃±10℃/20min﹐然后套Lens。2.夹起Lens，判别双耳朵位置后，放置于支架上白壳配合孔内﹐并压到位。注意不要压塌金线，否则送到返修站，并记录事故率。灌胶1.电子称2.烤箱3.抽真空机4.点胶机5.镊子6.棉花棒7.不锈钢盘1.以Silicone乔越OE-6250(A):乔越OE-6250(B)=1:1进行配胶。2.抽气:１个大气压/5mins。3.以镊子压制lens上方，再将针头插至lens耳朵孔位进行灌胶，在点胶时点胶机气压先调至0.15MP