nmda依赖的突触长时程增强和长时程抑制模型与仿真研究论文

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1、NMDA依赖的突触长时程增强和长时程抑制模型与仿真研究论文董爱荣，谭小丹，苏永春，高天明，邓亲恺【关键词】长时程增强AmodelandsimulationresearchofNMDAdependedbidirectionalsynapticplasticit【Astract】AIM:TostudythecorrelativemechanismbetmodificationandtheactivityofdifferentNMDAreceptorsubtypes.METHODS:BasedontheanalysisofdynamicpropertiesofNMDAreceptorsubtyp

2、es,anamendedmathematicalmodelofpostsynapticcalciumulusfrequency.AlongicalreactionodelofthepostsynapticCa2+dependedsignalingpathodelaboutthehippocampalCA3CA1synapsesbidirectionalplasticity.RESULTS:Accordingtotheinductiveconditionoflongtermpotentiation(LTP)andlongtermdepression(LTD),ourputersimulati

3、onmimickedtheinductionprocessesofNMDARdependentlongtermmodification.CONCLUSION:ItiselucidatedthatthecalciumtransientsrequiredforLTDmayprimarilyefromthecalciuminfloediatedbyNR2BsubtypechannelofNMDAreceptorandtheinductionofLTPmayrequirethecalciuminfloediatedbyNR2Bsubtypechannel.【Keypotentiation;long

4、termdepression;receptors,NmethylDAspartate;biophysicalmodel【摘要】目的：探究突触长时程增强和长时程抑制与NMDA受体亚型活性状态间的相关机制.方法：通过对NMDA受体亚型通道的动力学差异特性进行分析，提出一个修正的突触后钙信号模型来描述NMDA受体不同亚型的活性状态与突触前刺激频率的关系，并结合突触后钙依赖信号网络模型，建立了一个关于海马CA3CA1突触长时程增强和长时程抑制的生物物理模型.结果：根据LTP和LTD诱导条件.freelpotentiation,LTP）和长时程压抑（longtermdepression,LTD）是突

5、触长时程修饰的主要表现形式，是研究学习记忆过程的突触模型.NMDA受体的激活是海马CA3CA1突触LTP和LTD的诱导过程所必需的，同一种受体的激活如何能导致完全相反的突触强度修饰结果目前尚未明确［1］.选择性地阻断含有NR2A或NR2B亚基的受体会导致该突触上LTP或LTD的诱导失败［2］.NMDA受体两种亚型通道所介导的不同钙暂态可能会导致突触后信号转导通路到达不同的稳态.由于目前的实验条件很难对上述机制进行研究，我们意图通过模拟突触前施加一定频率的刺激造成的NMDA受体不同亚型活性状态改变以及由此引发的钙暂态变化，并结合一个突触后钙信号转导网络的生化模型，对NMDA依赖的海马突触LT

6、P和LTD诱导形成过程进行仿真，以探究LTP和LTD的形成与NMDA受体亚型活性状态间的相关机制.1方法1.1NMDA通道的组成及其电生理特性NMDA受体通道由NR1亚基和至少一种NR2亚基组装而成，NR2亚基又可分为NR2A,NR2B,NR2C和NR2D4种，不同的NR2亚基介导了NMDA受体异聚体不同的门控和药理学功能［3］.成熟小鼠的海马CA1区突触中主要包含的NMDAR亚型为NR1/NR2A,NR1/NR2B和NR1/NR2A/NR2B，其中包含NR2B的受体亚型主要介导通道电流快的成分，而包含NR2A的亚型则主要介导通道电流中慢的成分，他们在特定区域表达的不同比例会影响NMDA受

7、体的时间常数.在静息电位时，NMDA被Mg2+以电压依赖方式阻断而失活.膜的去极化可解除Mg2+对通道的阻滞作用，在谷氨酸存在的情况下，NMDA通道被激活.不同的NMDA受体亚型所介导的钙内流暂态动力学特性可以通过各自的时间常数（τs≈250ms；τf≈50ms［3］）来反映.根据文献［4］的结论，NMDA通道介导的单位面积钙内流可以表示为：INMDA=P*(Nfe-(t-i/f)/τf+Nse-(t-i/f/τs)*B