如何实现多片gan衬底材料生长过程中的厚度均匀

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1、we-J•一一，•J⑽I^S■:•A、裂解(crack)与漭協厚度不均的问鈕◊这些间越要克BS有一定的堆度，不是_«的1^0厂商迚立司以芫成，过去一直未RSLEDik界S个广泛应用，但如榘胶够臾厢上迷间越并且攀•參■••.霾••••—••w•••••^瞧••••

2、••••■•••鬌參鲁餐雜•••••••••••••••••••••••••••••以及如何实现多片GaN衬底材料生长过程屮的厚度均匀AIXTRON资深工艺工程师孙一军明确表示，只有采用多片技术，MOCVD才能在大规模生产当中得到应用，MOCVD将来的趋势将会是多片技术和大尺寸晶圈技术结合的B寸代，下一个时代将会是片数更多，尺寸更大。AIXTRON的最新产品G5和CriUSII正是为了实现这个目标而设计的。G5可以满足56X2英寸、14X4英寸、8X读寸、5X8英寸不同的配罝。孙一军指出，到目前为止，2英寸还是大陆市场绝对的主淺

3、，虽然4英寸实现了生产，但在全局来看，4英寸在整个外延生产中还不是主淺，但不久的将来，大陆将来会出现4英寸、6英寸，这是一个绝对的趋势。大尺寸外延片剌激LED产业的更快发展AIXTRON公司的RainerBeccard称.LED正在进入液晶电视的背光源和普通照明领域.而更大的市场发展机会则取决于降低每流明的成本.这可以通过在更大尺寸的蓝宝石衬底或者硅衬底上进行外延生长而得以实现*LED制造工艺中改用更大尺寸的芯片能够带来什么好处呢？首先，在MOCVD设备中使用更大尺寸的外S片，这会增加每个闹期的芯片的可用面积：通过现察MOCVD

4、设各的典型配》,可以清楚地吞到当使用大尺寸芯片时，反应宰的可用面积能够得到更有效的利用.再者，在后续工艺中不可用的芯片边缘区域面积也得到了上世纪90年代，M0CVD主要被用来做科学研究和小批皇生产，每个炉次生长的2“外延片的数皇小于10片。2000年之后，随著市场规模的扩充，LED产让开始逬入大规模生户阶段。墓于降低生户成本的迫切雷要，Mar.2013BESTLEDPRUDUCTS19在短短的10年左右时间里，外延设备的单炉生户能力迅速从几片/炉提高到大子50片/炉，而每片外延片的生产成本在此期间呈直线下降的趋势。6X2外送片P

5、«.*•♦IX/199419961998200020022004200620052010112hocvn，个炉次生长2"外在M权繩秫《暴其中通过放大反应室的规模化效应，仅考虑耗材和备件的成本，平均每一片外延片的成本靴可以下降为单片机的1/5以下。S前HVPE主要川于科学研究和小规模的生产，似如果采川多片技木和人尺寸衬底技术相结合，一定能够在将来商业化大规模生产中得到应用。首先当改用更大尺、r的外延生长时,可以增加每个周期中衬底材料的可用的囬积，吋更加有效的利用反应腔室的可川面积，衬歧边缘区域面积在后续工艺屮利川率也会进一步提商。

6、研究表明，采川6英吋的芯片配a结构可以有效增加53%的可用芯片面积,通过将2英吋的反成器改装为6英吋的配置相关成木不会明显增加。其次当提岛HVPE外延设备单炉生产数景吋，通过这种规模化效应可以极人地降低每片外延片的生产成本。总之，多片技术和大尺、r衬底技术相结合可以进一步提高GaN衬底的产能和降低生产成木，促进整个GaN菽底半导体器件特别是LED相关产业的快速发展。以忘怀。我由衷地感谢所有关心、帮助过我的老师、同学、亲人和朋友。。非常感谢我的导师，修向前教授，正是他带领我开始具体做实验。修老师自己设计的一套HVPE生长系统，亲身

7、躬行，其认真的态度、渊博的知识、开阔的眼界、灵活的思路使我受益匪浅，令我尊敬与佩服。在他的指导下，养成了我严谨、一丝不苟的工作态度与独立思考、解决问题的能力。良师益友、受益一生。。感谢实验室的张荣教授、谢自力教授、华雪梅老师等等，是你们给予我生活、学习和科研上的最大帮助。。感谢实验室里的师兄师妲们，谢谢你们在科研上对我的帮助，这三年收获良多，离不开你们的支持与关心，祝你们前程似锦！。感谢我的父母，感谢一直以来对我的支持与付出，祝你们永远健康快乐。。最后感谢南京大学！感谢学校提供了一个如此美好的学习和工作的平台，让我在这里认识众多

8、的同学与恩师，无论现在与将来，我都将秉承“淳朴雄伟、励学敦行”的校风校训投入新的生活与工作当中！。我要特别感谢华雪梅老师。华老师强烈的责任感、认真的工作作风深深影响了我，使我无论在学习还是生活上都受到很多启发。从我进入实验室开始就一直受到华老师的照顾，在平时学习