基于th71101的fsk-ask数字接收电路设计

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1、基于TH71101的FSK/ASK数字接收电路设计

2、第1摘要：TH71101是一个单片射频接收器芯片，工作在300～450MHzISM频段；片内包含低噪声放大器、双混频器、压控振荡器、PLL合成器、晶体振荡器等电路，能接收模拟和数字FSK/FM/ASK信号。文中给出了TH71101的结构、原理、特性及应用电路。关键词：无线接收FSKASK频率合成器TH711011概述TH71101是双超外差式结构的无线电接收芯片，工作在300～450MHzISM频段，能与TH7107等芯片配套，实现ISM频段无线模拟和数字信号传输；内部包

3、含一个低噪声放大器、双混频器、压控振荡器、PLL合成器、晶体振荡器等电路。能接收模拟和数字FSK/FM/ASK信号。FSK数据速率可达40kb/s，ASK数据速率达80kb/s，FM带宽15kHz；灵敏度111dBm。电源电压2.5～5.5V,工作电流8.2mA，待机电流<100nA。适用于ISM（工业、科学和医学）频率范围内的各种应用，如数据通信系统、无钥匙进入系统、遥控遥测系统、安防系统等。2芯片封装与引脚功能TH71101采用LQFP32封装，各引脚功能如表1所列。表1TH71101引脚功能引脚号符号功能1VE

4、E地2GAIN-LNA低噪声放大器（LNA）增益控制3OUT-LNALNA输出，连接到外接的LC调谐回路4IN-MIX1混频器1（MIX1）输入，单端阻抗约33Ω5VEE地6IF1P中频1（IF1）集电极开路输出7IF1N中频1（IF1）集电极开路输出8VCC电源输入9OUT-MIX2混频器2（MIX2）输出，输出阻抗约330Ω10VEE地11IFA中频放大器（IFA）输入，输入阻抗约2.2kΩ12FBC1连接外接的中频放大器反馈电容13FBC2连接外接的中频放大器反馈电容14VCC电源输入15OUT-IFA中频放大器输出

5、16IN-DEM解调器（DEMOD）输入17VCC电源输入18OUT-OA运算放大器（OA）输出19OAN运算放大器（OA）负极输入20OAP运算放大器（OA）正极输入21RSSIRSSI输出，输出阻抗约36kΩ22VEE地23OUTPFSK/FM正输出，输出阻抗100300kΩ24OUTNFSK/FM负输出，输出阻抗100300kΩ25VEE地26RO基准振荡器输入，外接晶体振荡器和电容27VCC电源输入28ENRX模式控制输入29LF充电泵输出和压控振荡器1（VCO1）控制输入30VEE地31IN-LNALNA输入，单

6、端阻抗约26Ω32VCC电源输入3芯片内部结构与工作原理TH71101内部结构框图如图1所示。芯片内包含低噪声放大器（LNA）、两级混频器（MIX1、MIX2）、锁相环合成器（PLLSynthesizer）、基准晶体振荡器（RO）、充电泵（CP）、中频放大器（IFA）、相频检波器（PFD）等电路。LNA是一个高灵敏度接收射频信号的共发、共基放大器。混频器1（MIX1）将射频信号下变频到中频1（IF1），混频器2（MIX2）将中频信号1下变频到中断信号2（IF2），中频放大器（IFA）放大中频信号2和限幅中频信号并产生RSS

7、I信号。相位重合解调器和混频器3解调中频信号。运算放大器（OA）进行数据限幅、滤波和ASK检测。锁相环合成器由压控振荡器（VCO1）、反馈式分频器（DIV16和DIV2）、基准晶体振荡器（RO）、相频检波器（PFD）、充电泵（CP）等电路组成，产生第1级和第2级本振信号LO1和LO2。图2FSK接收电路图使用TH71101接收器芯片可以组成不同的电路结构，以满足不同的需求。对于FSK/FM接收，在相位重合解调器中使用IF谐振回路。谐振回路可由陶瓷谐振器或者LC谐振回路组成。对于ASK结构，RSSI信号馈送到ASK检波器，A

8、SK检波器由OA组成。图3ASK接收电路TH71101采用两级下变频。MIX1和MIX2由芯片内部的本振信号LO1和LO2驱动，与射频前端滤波器共同实现一个高的镜像抑制，如表2和表3所列。有效的射频前端滤波是在LNA的前端使用SAHz时，基准频率fREF、本振频率fL0与fRF镜像抑制的关系参数fRF=315MHzfRF=315MHzfRF=433.6MHzfRF=433.6MHz低高低高fREF/MHz19.0187520.3562526.4312527.76875fLO/MHz304.3325.7422.9444.3f

9、RFimage/MHz293.6336.4412.2455.04应用电路设计基于TH71101的FSK和ASK应用电路如图2、3所示。TH71101与单片机的接口电路如图4所示。ENRX=“0”时，接收模块进入待机状态，ENRX=“1”时，接收模块进入接收状态。TH71101解调输出数据经RXD进入单片