《小型记忆卡产业》word版

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1、小型记忆卡产业–COB封装随着2006年插卡式手机的崛起，记忆卡规格为符合手机轻、薄的特性，尺寸必须不断微缩，目前microSD规格大小已限缩到长、宽各约1cm、1.5cm，尤其是高度部分，更是缩短至0.7mm。因此，除了Flash制程微缩到50奈米，成卡的封装，也无法再使用过去的SMT制程，必须改采体积较小的COB封装制程。COB封装COB即ChiponBoard的简称，是一种直接将芯片堆栈在载板上，打线后即封上外壳的制程，广泛被应用于各領域；优点在于体积小，可制作出SMT无法生产的小尺寸产品，且在量产良率稳定之后，成本相对低廉。目前应用于记忆卡的COB封装

2、技术，业界习惯依封装的Flash芯片數多寡，称之为1+1、1+2、1+4、1+8…..封装；其中「+」前的數字代表控制IC數目，通常为一颗；「+」后的數字则代表Flash芯片數，即1+1指的是一颗控制IC加上一颗Flash芯片的封装模式、1+2则指一颗控制IC加兩颗Flash芯片的封装模式，以此類推……。堆栈技术的目的，在提高记忆卡容量，如一片2GmicroSD卡的封装，可使用一颗控制IC加一颗2GFlash芯片的1+1制程；或选择一颗控制IC加兩颗1GFlash芯片的1+2制程；甚至是用512M芯片配合控制IC，堆栈成1+4的COB封装，亦能达到同样效能。甚

3、至可以堆栈4片2GFlash芯片而获得8G容量的记忆卡。然而COB封装技术层次与芯片堆栈數目成正比，与总记忆容量无必然关系，此特性也反应在COB封装的代工报价上。例如以1+1制程封装2GFlash芯片制造2G记忆卡，与封装1G或512MFlash芯片，分别封装出1G或512M记忆卡的封装代工报价式一样的；但若以1+2制程封装兩片1GFlash芯片所制造出的2G记忆卡，甚至是兩片512MFlash芯片所制造出的1G记忆卡，其COB封装代工报价就高于1+1制程，与记忆卡最终容量大小无关。至于不同COB封装制程的选择，取决于当时不同容量芯片的价格/性能差異、Flas

4、h芯片取得难易及不同COB封装制程的价差（1+n的n愈大，封装代工报价愈贵）、封装厂产能、客户需求…等因素。目前最大宗的记忆卡封装仍是以原厂手机出厂时，所搭售的低阶1+1产品为主。芯片堆栈方式，仍无产业标准截至目前为止，misroSD记忆卡的封装设计，尚未出现产业标准，造成封装厂商必须针对不同的客户、不同的材料（Flash芯片、控制IC、基板）自行设计记忆卡，各自为政。如此也造成了产业的技术门坎，尤其在高层數（1+2、1+4以上）堆栈，控制IC与Flash芯片的兼容性，即为COB封装时的重要关卡。由于microSD成卡的长、宽已缩小至1.5x1.1cm，目前N

5、ANDFlash芯片尺寸已完全无法以左右并排方式，封装于记忆卡的可容许面积中；制程关键在于microSD成卡高度仅700μm现行microSD记忆卡封装，均采Flash芯片上下堆栈的方式进行；就控制IC而言，暂无空间不足问题，而在堆栈Flash芯片的时候，还要保留金属导线空间及电气特性，可用空间狭小的问题立即浮现。在microSD记忆卡成卡总高度700μm中，基板厚度即占去150μm，再扣除上盖约50μm，内部实际可操作空间仅余500μm。以单层1+1堆栈而言，扣除银胶加上金线厚度约150μm，Flash芯片尚有约350μm（5mil）的高度可使用，因此在制程

6、技术上较无问题，此制程也是目前产业最普遍，产能最大的部分，由于各家厂商均能制作，因此1+1产能较无短缺之虞。当堆栈层數增加，Flash芯片厚度缩减至80μm甚至50μm以下，除12吋晶圆研磨技术难度提高，打线精度增加，薄如纸张的芯片易碎的特性，亦大大拉升了设计及量产操作上的困难。大者恒大的产业趋势如前所述，microSD记忆卡封装制程受限于终端产品尺寸的微缩，挤压到制程的可利用空间，如何将所有必要组件堆栈在有限空间中，并能正常且可靠的运作，形成封装产业的技术门坎。然而，此堆栈技术对拥有资金及人力的大型封装厂而言，仅是设备采购及产品开发所需时程的问题，技术上不足

7、以对其构成威胁，记忆卡封装产业要胜出的主要关键，仍在于规模与管理，及封装厂背后是否有足够的资源支持。产业市场的演进，也证实了上述看法；2006年下半年，microSD记忆卡異军突起，导致COB封装厂产能短缺，部分成卡厂或二线模块厂，纷纷转单至二线封装厂进行封装。时至今日，全球封装产能经过一年左右的扩充，一线大厂挟经济规模及技术优势，已迅速席卷整个COB封装市场，将过去因产能不足而无法承接的封装订单拉回，产业”大者恒大”生态至此底定。