南昌大学毕业论文书写式样

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1、南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，III……)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3……）编排。四、摘要1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、学号、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋

2、体加粗，2．英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体加粗，“Abstract”四号TimesNewRoman体；“Abstract”内容小四号TimesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。六、图表：图表内容五号宋体。七、参考文献：“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。八、致谢：“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。具体书写式样如下：密级：校名标识（cm）1.88×6.59，居中校名外文（大写）TimesNewRoman，四

3、号，居中NANCHANGUNIVERSITYTimesNewRoman，四号，居中宋体，30磅，居中学士学位论文THESISOFBACHELOR中文：宋体；数字：TimesNewRoman四号，居中（20—20年）宋体，四号，居右页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉1.5cm,页脚1.75cm,1.35倍行距，应用于整篇文档校徽标识（cm）3.33×3.33，居中宋体，三号，居中题目宋体，四号，居中注意线条长度一致学院：系专业班级：学生姓名：学号：指导教师：职称：起讫日期：摘要页眉：中文宋体，五号，居中宋体，小二号，居中III-Ⅴ族氮

4、化物及其高亮度蓝光宋体，五号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专业：学号：学生姓名：指导教师：标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：中文宋体，外文字符TimesNewRoman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔摘要宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产Ga

5、N基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上

6、生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱-31-Abstract页眉：外文TimesNewRoman，五号，居中TimesNewRoman，小二号，居中StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-Ⅴn

7、itridesandhighbrightnessblueLEDwafersAbstract标题：TimesNewRoman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：TimesNewRoman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔GaNbasedⅢ-ⅤnitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,shortwavelengthlasers,ultravioletdetectors,hightemper