毕业设计书写式样

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1、附件3新余学院毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。三、摘要1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2．英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体加粗，“Abstract”四号TimesNewRo

2、man体；“Abstract”内容小四号TimesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。五、图表：图表内容五号宋体。六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4纸单面打印。九、毕业设计（论文）的装订、归档⑴毕业设计（论文）的装订顺

3、序为：①封面；（请到教务处网站下载学校统一封面）②中文题目、摘要、关健词；③英文题目、摘要、关健词；④目录；⑤正文；⑥参考文献；⑦致谢。⑵毕业设计（论文）的资料归档内容为：①已装订成册的毕业设计（论文）文本；②毕业设计（论文）过程管理手册；③学生参加生产实习的日记，实习技术报告，实习单位的鉴定、评价意见等材料；④学生毕业设计（论文）收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计（论文）的资料袋中；毕业设计（论文）的资料袋由教务处统一发放。（资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然

4、后贴在资料袋上）。具体书写式样如下：小三号宋体加粗，居中。中间空一个字符二级标题小四号宋体，居左，首行缩进1个字符。一级标题，小四号宋体加粗，居左。1、目录式样三级标题小四号宋体，居左，首行缩进2个字符。目录摘要　………………………………………………………………………………………1Abstract……………………………………………………………………………………2第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………………………11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用………………………………………

5、…11.1.1III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………11.1.2III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………31.2III族氮化物的基本结构和性质…………………………………………41.3掺杂和杂质特性…………………………………………………………………121.4氮化物材料的制备…………………………………………………………131.5氮化物器件………………………………………………………………191.7本论文工作的内容与安排………………………………………………24第二

6、章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺…………………………………………312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备…………………………………………32结论………………………………………………………………………………………136参考文献（References）……………………………………………………………………138致谢………………………………………………………………………………………150小二号宋体加粗2、摘要式样（1）中文摘要式样III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光小四号宋体LED外延片的MOCVD生长和性质研究

7、四号宋体加粗摘要宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中

8、的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单