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时间:2018-11-11
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1、基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究IGBT驱动电阻光耦1 引言 绝缘栅型双极性晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor-IGBT)是一种电压控制型功率器件,需要的驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,且具有较大的安全工作区和短路承受能力,在中功率以上的逆变器中逐渐取代了POWERMOSFET和POWERBJT成为功率开关器件的重要一员。IGBT等功率器件占到逆变器整体成本60%以上,如何有效地驱动和保护IGBT,使其安全高效地工作,成了当前电力电子领域的一个重要课题。本文以光耦HCPL316J为核心,从IGBT功率与驱动
2、电路输出功率的关系,驱动电路电源以及保护电路设计等方面对IGBT驱动电路进行了研究,设计具有保护功能的驱动电路,并进行了实验。图1 IGBT驱动原理图 2 IGBT门极驱动电压 IGBT是电压控制型器件,开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定,当在栅极和发射极加一大于开启电压UGE(th)的正电压时,IGBT导通,当栅极施加一负偏压或者栅压低于门限电压时,IGBT就关断[1]。典型的IGBT驱动原理图如图1所示,+UGE为正向开通电压,-UGE为关断电压。当UGE较小时,IGBT通态压降会变大,IGBT就容易发热,随着UGE增大,通态压降就降低,IGBT的通
3、态损耗就降低,当UGE很大时,容易造成栅极的击穿,并且还容易产生擎住效应,无法关断IGBT,损坏器件。根据器件手册,一般UGE=±20V选取范围为15V~18V。当关断IGBT时,为了实现快速关断,-UGE取负偏压,为了降低关断损耗和du/dt误触发,-UGE不应该太小,一般在-5V以下,典型的取值为-5V、-8V和-10V。 3 IGBT门极驱动电阻的计算 IGBT是通过门极电容的充放电来控制开通和关断,门极电容的充放电通过门极驱动电阻来控制。门极驱动电阻的大小影响IGBT的开关时间、开关损耗、反向偏压安全工作区、短路安全工作区等[2][3],还与电路的EMI、
4、du/dt、di/dt等有着密切的关系,门极驱动电阻的选择是驱动电路设计的重要部分。附表[3]是驱动电阻的变化与驱动电路参数的关系。 从附表可以看出,门极驱动电阻越大,开关损耗和驱动脉冲上升下降时间就减少,相反,减少驱动电阻,开关损耗和脉冲上升下降时间就会增加。门极驱动电流的峰值可以表示为: (1) 其中:IGM是门极驱动电路输出的峰值电流; VG(on)正偏压电源电压; VG(off)负偏压电源电压; RG驱动电路门极电阻; RG(int)模块内部的驱动电阻。 (2) 总之,IGBT门极驱动电阻可以参考以下要求: (1)额定电流大的器
5、件门极驱动电阻较小,额定电流小的器件,门极驱动电阻比较大。 (2)驱动电阻的最优选值可以取IGBT手册标注的电阻值的两倍。由于手册标注的电阻往往是最小的电阻,所以可以考虑选取两倍的电阻作为参考电阻,这样可以保证IGBT发生特殊情况时可靠关断。 开通电阻RG(on)往往比关断电阻RG(off)小,一般开通电阻可以取到关断电阻的1/2。 4 驱动电路的输出功率计算 当IGBT工作在高频开关状态下时,电路通过驱动电阻对IGBT的门极电容进行充放电,开关IGBT,图2是IGBT门极充电电荷特性图。根据门极特性,IGBT开通的过程是从0V充电到UGE,充电过程与输入
6、电容充电过程等效,关断过程则是放电的过程,充放电电流平均值可以通过以下近似公式来计算: (3) (4) 其中:fc是开关频率; Qg是IGBT的充电电荷; Cies是IGBT的输入电容。 设计驱动电路时,输出电流应该满足以上公式计算的电流。由于驱动电流流过门极驱动电阻,驱动的消耗可以按照门极电阻消耗来计算,由P=1×U进一步计算IGBT驱动所需要的功率[4],开通需要的功率为: (5) 关断需要的功率为: (6) 因此需要的总功耗P为: (7) 5 保护电路的设计 当IGBT发生短路时,额定电流会在
7、短时间达到额定电流的5~6倍,此时必须关断IGBT,否则会造成IGBT不可修复的损坏。为了保护功率器件不被损坏,需要设计保护电路。当发生过流时,UGE会迅速增加,通过监控UGE可以判断是否发生过流,当发生过流时,关断IGBT。 当IGBT工作在感性负载状态,发生关断时,反并二极管处在反向恢复状态,就会有很大的du/dt,加于集电极和发射极两端。由于密勒电容的存在,du/dt将在电容上产生瞬间电流,流向栅极驱动电路。该电流与门极驱动电阻RG作用,使UGE超过门限值,器件就会被误触发导通。为了防止门极电压过高,可以在门极驱动电路的末端安装
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