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时间:2020-03-21
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1、I_)》.竣应⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一大功率IGBT驱动电路的设计DesignOfTheHighPowerIGBTModuleDriveCircuit中国科学院长春光学精密机械与物理研究所王丽秋TheChineseacademyofsciencesinChangchunopticaIprecisionmachineryandphysicaIinstituteWangLiqiu【摘要】为了满足实际应用的需求,设计了600V/50A等级IGBT模块驱动电路,电路重点考虑了由寄生的极间电容引起的米勒效应以及dV/dt对IGBT驱动的影响,经参数分析和计算,确定了驱动电压幅值和驱动电流值;
2、驱动电路由光耦隔离、功率驱动和栅极保护电路组成,实现了信号端与功率端电气隔离、调节驱动电压幅值宽度和增加驱动电流、抑制米勒效应的功能。实验结果表明该驱动电路在100KHz2~作频率下获得良好的IGBT输出波形,满足设计要求。【关键词】IGBT;驱动;米勒效应Abstract:Inordertomeet山cncedsoftheapphcafions,吐1edrivecircuitof出e600V/50AIGBTmodulehasbedesigned,whichmainlyconsiders吐leeffectof吐teMilereffectandthedV/dtontheIGBT.T
3、heamplitudeofdrivingvoltageand山edrivingcurrentvalueofthedrivecircuithasbedeterminedthroughtheparameteranalysisandcalcularion.Thedrivingcircuitisdrivenbytheoptocouplerisolation,powerand耐dprotectioncircuit.TheexperimentalresultsshowthatthedrivecircuittoobtmntheIGBToutputwaveformisgoodatfrequenc
4、y100KHz,meetthedesignrequirements.Keywords:GBT;Driver;Millereffect年引言开关速度、导通损耗以及稳定度之间的平衡器氍踹f:1MHz.T=25‘C,V。岳;25V.V蚝:0VC3,10ng是选择IGBT的重要因素;而稳定可靠的IGBT驱动电路是IGBT发挥良好开关特性的重要保证,它可Re。ans,警ercaps~cef='MHz.T=25‘C.Vc
5、=25V.V砰:0VC憎0.095nF以避免在IGBT操作过程中由于信号干扰、电流或碧VcE:6OOv.V=0V.=25。Cl一1Om^电压不足、操作延时等各种原因造成的开
6、关误动作的发生,因此IGBT驱动电路的设计关系到整个吉vce:0V.V=20Y,=25。CI一400电路系统设计的成败,对IGBT的使用来说至关重。“l’veoadvIc韭=50A,V1n-oROelaytime.~c:ⅢvcE湖
7、cck0,.023HsS要。IGBT的开通与关断是由门级电压控制的,所R沁^=8.20●1一0Ⅱ口IJS需的驱动电压和驱动功率与IGBT的内部参数有着糍vIco=E:50+A15,T=:=212500,0158ps.曼紧密的关联;如何避免米勒效应和dV/dt的影响R=82QT=t50’C0,02ps是成功驱动IGBT的关键。囤3IGST内部参数1IGB
8、T模块由于实际电路的需求,所选的IGBT模块的集电极一发射极电压为Vecs=600V,集电极电流Inc=50A,最大门级驱动电压为±20V。该IGBT~块内含四个IGBT构成H桥,其内部结构如图1所示:一[~~Rj々十L_讴动圈4IGBI隔离驱动电路圉1iflsi模块内部结构图门级加反向电压Vge<0V,以保证有效关断IGBT:I2=Cgc×d(Vdc+l0)/dt=0.095nF×嚣⋯⋯⋯”~‘’由于门极电压不能超过±20V,因此门级驱动电(3IOV+10V)/4lnS=74lmA:t∞压幅值采用双向电压方式,并采用+15V(VCC)~而Ig=I1+I2=756mA+741mA
9、=1.497A,计算Qo{f一连·÷一15V(VEE)双向电源为驱动电路供电。I2/Ig=741mA/1.497A=49.5%8o7o2.2米勒效应可见,由于内部寄生电容的充放电过程,,/eo根据电容方程,IGBT驱动电流由输入电容使较小的极间电容Cgc分去了接近总栅极电流墨5。i的充电过程获得:的50%的电流,这种现象叫米勒现象,是造∞‘Ig=Cin*dV/dt(公式1)成IGBT导通延时的主要原因。从公式2可以看∞豁。,/其中Cin为输入电容,dV/dt为达到开通电出,在计算
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