开关电源之mos管知识

开关电源之mos管知识

ID:23776769

大小:456.00 KB

页数:9页

时间:2018-11-10

开关电源之mos管知识_第1页
开关电源之mos管知识_第2页
开关电源之mos管知识_第3页
开关电源之mos管知识_第4页
开关电源之mos管知识_第5页
资源描述:

《开关电源之mos管知识》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、独家:手把手教你读懂FET  现在;一台台电源,几乎都能发现FET的影子。几乎每个电源工程师都用过这东西,或用来逆变;或用来整流;或就当个开关。 由于用处不同;每个厂家都对不同用处FET做了专门优化。以致同样耐压/电流的FET;有多个型号。自然;每个厂家都有其独特的特点。高低贵贱;百花齐放,可见;作为工程师,读懂FET;选取最合适的器件,是多重要!FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞,每个胞的电流并不大,只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法;多多的数量FET并联;达到开关大电流。也就是同样大小硅片和耐压下;

2、胞越多;允许电流越大。得益于多胞结构;FET的寄身二极管拥有了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐量。在数据表中;以EAR(可重复雪崩耐量)和EAS(单次雪崩耐量)表示。它表征了FET抗电压(过压)冲击的能力。因此;许多小功率反激电源可以不用RCD吸收,FET自己吸收就够了。用在过压比较严重的场合,这点要千万注意啊!大的雪崩耐受力;能提高系统的可靠性!FET的这个能力和电压;终身不会改变。红色指示的是FET开关的沟道,兰色的是寄生的体二极管。平时;FET是关断的。当栅上加正压时;在邻近栅的位置;会吸引许多电子。这样;邻近的P型半导体就变成了N型;形成

3、了连接两个N取的通道(N沟道),FET就通了。显然;FET的耐压越高;沟道越长;电阻越大。这就是高压FET的RDSON大的原因,反之;P沟FET也是一样的,这里不在叙述。所以;功率FET,常被等效为:FET是实实在在的物质构成的;里面有导体/半导体/绝缘体。这些物质的相互搭配;做成了FET。那么;任何两个绝缘的导体,自然构成了物理电容——寄生电容 红色的就是DS间的寄生电容Coss。蓝色的就是密勒电容Cgd。黑色的就是栅原电容Cgs下面;分析这些电荷在开/关状态下,是如何影响FET工作的。FET静态关断时,Cgd/Cgs充电状态如图示: 栅电压为零

4、,Qgs=0。Qgd被充满,Vgd=Vds。注:由于Cds通常和其它杂散电容并联在一起;共同对电源施加影响,因此;这里暂时不做分析。问题将在后面和杂散参数一起一并讨论。给FET的栅极施加正脉冲。由于Cgd在承受正压时,电容量非常小(Cgd虽然小;但是Qgd=Cgd*Ugd,Qgd仍然是很大的),Cgs远大于Cgd。因此;脉冲初期,驱动脉冲主要为Cgs充电,直到FET开始开启为止。开启时;FET的栅电压就是门槛电压Vth。 当FET栅电压达到Vth,FET开始导电。无论负载在漏极还是在源极,都将因有电流流过而承受部分或全部电压。这样FET将经历由阻断

5、状态时承受全部电压逐渐变到短路而几乎没有电压降落为止的过程。这个过程中,Cgd同步经历了放电过程。放电电流为I=Qgd/ton。 Igd——密勒电流分流了FET的驱动电流!使得FET的栅电压上升变缓。弥勒电荷越大;这个斜坡越长。弥勒电荷不仅和器件有关还和漏极电压有关。一般;电压越高;电荷量越大。FET的栅电压达到Vth后;电流流过FET的沟道,此时;FET工作在线性区。FET视在斜率随Id大小变化而变。但;从Vg、Id的变化量看,两者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。由于在FET开的过程中,栅电压变缓,是弥勒电

6、容分流引起的,所以;也叫弥勒效应区。因此;在断续反激电源里,弥勒效应区的栅电压斜率基本不变。而正激、半/全桥等;斜率随负载而变弥勒效应时间(开关时间)ton/off=Qgd/Ig注:1)Ig指FET的栅驱动电流。FET“ON”     Ig=(Vb-Vth)/Rg2)Vb:稳态栅驱动电压FET经过弥勒区后;完全导通。原先阻断D-S的PN结被开启的沟道短路。由于失去了部分绝缘层,Cgd变大;以至和Cgs相当。并且;Cgd通过低阻抗的开启沟道;和Cgs实现物理上的并联。这样;使得后期的驱动栅电压沿发生了变化。如图示 FET的关断过程和开启过程的物理变化

7、是一样的,只是过程刚好相反如前面介绍,完整周期的驱动波型如图示贴个典型实测栅&VD的波型,体验一下其中的奥妙。 EAR/EAS这两个量描述的是FET抗雪崩击穿的能力。EAR描述的是可重复的雪崩耐量。EAS描述的是单次耐量。如在小功率反激里;取消RCD吸收后,大电流负载时的漏极电压就需要EAR这个量来考核安全。再如大电流半/全桥电路里,桥短路时电流非常大;即便在安全工作区能关断FET;仍会因引线等杂散寄生电感的作用而产生过压,当关的比较快时;过压就会超过FET耐压极限而击穿。EAS是衡量FET此时是否安全的参量...这里只列举了这两个量的概念了两个实

8、际工程中的应用实例。它们的意义远非这些。这是这两个量的典型图表: 安全工作区SOA,先看这两张图这是两个同为600V的MO

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。