恒压-恒流输出式单片开关电源的设计原理

恒压-恒流输出式单片开关电源的设计原理

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时间:2018-11-10

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1、恒压/恒流输出式单片开关电源的设计原理

2、第1恒压源的输出电压由下式确定:UO=UZ2+UF+UR1=UZ2+UF+IR1·R1(1)式中,UZ2=6.2V,UF=1.2(典型值),需要确定的只是R1上的压降UR1。令R1上的电流为IR1,VT2的集电极电流为IC2,光耦输入电流(即LED工作电流)为IF,显然IR1=IC2=IF,并且它们随u、IO和光耦的电流传输比CTR值而变化。TOP200Y的控制端电流IC变化范围是2.5mA(对应于最大占空比Dmax)~6.5mA(对应于最小占空比Dmin),现取中间值IC=4.5mA。因IC是从光敏三极管的发射极流入控制端的,故有关系

3、式IR1=Ic/CTR(2)在IC和CTR值确定之后,很容易求出IR1。单片开关电源须采用线性光耦合器,要求CTR=80%~160%,可取中间值120%。将IC=4.5mA,CTR=120%代入式(2)得出,IR1=3.75mA。令R1=39Ω时,UR1=0.146V。最后代入式(1)计算出UO=UZ2+UF+UR1=6.2V+1.2V+0.146V=7.546V≈7.5V2.2电流控制环的设计电流控制环由VT1、VT2、R1、R3~R7、C8和PC817A等构成。下面需最终算出恒定输出电流IOH的期望值。图3中,R7为VT1的基极偏置电阻,因基极电流很小,而R3上的电流很大

4、,故可认为VT1的发射结压降UBEI全部降落在R3上。则IOH=UBE1/R3(3)利用下面二式可以估算出VT1、VT2的发射结压降:UBE1=(kT/q)·In(Ic1/Is)(4)UBE2=(kTq)·In(Ic2/Is)(5)式中,k为波尔兹曼常数,T为环境温度(用热力学温度表示),q是电子电量。当TA=25℃时,T=298K,kT/q=0.0262V。IC1、IC1分别为VT1、VT2的集电极电流。IS为晶体管的反向饱和电流,对于小功率管,IS=4×10-14A。因为前已求出IR1=IF=IC2=3.75mA,所以UBE2=(kT/q)In(Ic2/Is)=0.026

5、2In(3.75mA/4×10-14A)=0.662V又因IE2≈IC2,故UR5=IC2R5=3.75mA×100Ω=0.375V,由此推导出UR6=UR5+UBE2=0.375V+0662=1.037V。取R6=220Ω时,IR6=IC1=UR6/R6=4.71mA。下面就用此值来估算UBE1,进而确定电流检测电阻R3的阻值:UBE1=0.0262In(4.71mA/4×10-14A)=0.668R3=IBE1/IOH=0.668V/1.0A=0.668Ω与之最接近的标称阻值为0.68Ω。代入式(3)可求得IOH=0.668V/0.68Ω=0.982考虑到VT1的发射结

6、电压UBE1的温度系数αT≈-21mV/℃,当环境温度升高25℃时,IOH值降为I'OH=UBE1-‖αT‖·T/R3=0.668V-(2.1mV/℃)×25℃/0.68Ω=0.905A恒流准确度为γ=(I'OH-IOH/IOH)·100%=(0.905-0.982/0.982)·100%=-7.8%≈-8%与设计指标相吻合。3反馈电源的设计反馈电源的设计主要包括两项内容:(1)在恒流模式下计算反馈绕组的匝数NB。之所以按恒流模式计算NB值,是因为此时UO和UFB都迅速降低(UO=UOmin=2V),只有UFB足够高时,才能确保恒流源正常工作。(2)在恒压模式下计算出反馈电压

7、额定值UFB。此时UO=7.5V,UFB也将达到最大值,由此求得UFB值,能为选择光耦合器的耐压值提供依据。500)this.style.ouseg(this)">反馈电压UFB由下式确定:UFB=(Uo+UF2+IoR3)·NB/Ns-UF3(6)式中,UF2和UF3分别为VD2、VD3的正向导通压降。NS为次级匝数。从式(6)可解出NB=(UFB+UF3/Uo+UF2+IoR3)·Ns(7)在恒流模式下当负载加重(即负载电阻减小)时,UO和UFB会自动降低,以维持恒流输出。为使开关电源从恒流模式转换到自动重启状态时仍能给TOP200Y提供合适的偏压,要求UFB至少比恒流模

8、式下控制电压的最大值UCmax高出3V。这里假定UCmax=6V,故取UFB=9V。将UFB=9V、UO=UCmin=2V、UF2=06V、UF3=1V、IO=IOH=0.982A、R3=0.68Ω、NS=12匝一并代入式(7),计算出NB=36.7匝≈37匝(取整)。在恒压模式下,UO=7.5V,最大输出电流IO=0.95A,再代入式(6)求得,UFB=26V,此即反馈电压的额定值。选择光耦合器时,光敏三极管的反向击穿电压必须大于此值,即U(BR)CEO>26V。常用线性光耦的U(BR)CEO

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