高个是尾频课程设计

高个是尾频课程设计

ID:23589585

大小:263.50 KB

页数:12页

时间:2018-11-09

高个是尾频课程设计_第1页
高个是尾频课程设计_第2页
高个是尾频课程设计_第3页
高个是尾频课程设计_第4页
高个是尾频课程设计_第5页
资源描述:

《高个是尾频课程设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方河北科技师范学院课程设计说明书课程名称:高频电子线路设计题目:小功率调频发射机姓名:系别:机电工程学院专业班级:指导教师:日期:2009-11.30~12.5----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方题目小功率调频发射机设计者:指导教师:1主要技术指标要求发射功率

2、PA≥500mW负载电阻(天线)RL=50Ω工作中心频率f0=5MHz最大频偏总效率2发射机的组成方框图拟定整机方框图的一般原则是,在满足技术指标要求的前提下,应力求电路简单、性能稳定可靠。单元电路级数尽可能少,以减少级间的相互感应、干扰和自激。由于本题要求的发射功率PA不大,工作中心频率f0也不高,因此晶体管的参量影响及电路的分布参数的影响不会很大,整机电路可以设计得简单些,组成框图如图1所示,各组成部分的作用是:图1发射机组成方框图3单元电路设计3.1LC调频振荡级(1)LC调频振荡级产生频率为f0=5MHz的高频振荡,变容二极管线性调频,最

3、大频偏为,整个发射机的频率稳定度由该级决定。可假设主振频率f0= 5MHz,频率稳定度≤,输出电压V0≥1V,最大频偏。由于对主振频率f0----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方要求不高,但对频率稳定度要求较高,故选用图2所示的LC调频振荡器电路。图2LC调频振荡级原理图(2)电路原理分析在LC振荡电路中晶体管T电容三点式振荡器的改进型电路,即克拉波电路,它被接成共基组

4、态,CB为基极耦合电容,其静态工作点由RB1、RB2、RE及RC决定。小功率振荡器的静态工作电流ICQ一般为1—4mA。ICQ偏大,振荡幅度增加,但波形失真加重,频率稳定性变差。L1、C1与C2、C3组成并联谐振回路,其中C3两端的电压振荡器的反馈电压VBE,以满足相位平衡条件。比值C2/C3=F决定反馈电压的大小。当AVOF=1时,振荡器满足振幅平衡条件,电路的起振条件为AVOF>1。为减小晶体管的极间电容对回路振荡频率的影响,C2、C3的取值要大。如果选C1《C2,C1《C3,则回路的谐振频率f0主要由C1决定。调频电路由变容二极管Cj及耦合

5、电容Cc组成,R1与R2为变容二极管提供静态时的反向直流偏置电压VQ,即VQ=[R2/(R1+R2)]Vcc。电阻R3称为隔离电阻,常取R3》R2,R3》R1,以减小调制信号VΩ对VQ的影响。C5与高频扼流圈L2给VΩ提供通路,C6起高频滤波作用。变容二极管Cj通过Cc部分接入振荡回路,有利于提高主振频率f0的稳定性,减小调制失真。3.2缓冲隔离级  ----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-------------文档下载最佳的地方----------专业最好文档,专业为你服务,急你所急,供你所需-----------

6、--文档下载最佳的地方 将振荡级与功放级隔离,以减小功放级对振荡级的影响。因为功放级输出信号较大,当其工作状态发生变化时(如谐振阻抗变化),会影响振荡器的频率稳定度,使波形产生失真或减小振荡器的输出电压。进行设计时,为减小级间相互影响,通常在中间插入缓冲隔离级。一般采用如图3所示电路图3缓冲隔离级电路原理图不论是在低频电路还是高频电路的设计中,缓冲隔离级常采用射极跟随器电路,如上图,调节射极电阻RE2,可以改变射极跟随器输入阻抗。如果忽略晶体管基极电阻rb'的影响,则射极输出器的输入电阻Ri为Ri=RB'//βRL',式中,RL'=(RE1+RE

7、2)//RL,RB'=RB1//RB2;输出电阻R0为R0=(RE1+RE2)//r0,式中,r0很小,所以可将射极输出器的输出电路等效为一个恒压源。电压放大倍数AV为,式中,gm—晶体管的跨导,一般情况下gmRL'1。所以,图中所示射极输出器具有输入阻抗高、输出阻抗低、电压放大倍数近似等于1的特点。晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点,一般取,ICQ=3~10mA.对于上图所示电路,取VCEQ=6V,ICQ=4mA,若晶体管的电流放大倍数β=60,则RE1+RE2=VEQ/ICQ=1.5kΩ,取RE=1kΩ,RE2=1kΩ可以估算出,功率激

8、励级的输入阻抗为335Ω,即射随器的负载电阻RL=335Ω,并可计算出射随器的输入电阻Ri,即Ri=RB'//βRL'≈3.6kΩ, 输

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。