原子性质及结构相关练习

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时间:2018-11-06

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1、原子结构与性质相关练习一.选择题(共27小题)1.图屮,能正确表示基态硅原子的是(囲囲囲InE団[H□晒囲考点:原子核外电子的能级分布.专题:原子组成与结构专题.分析:洪特规则:电子排布在同一能级的不同轨道时优先单独占据一个轨道,且自旋方向相同;泡利原理:一个原子轨道里最多可容纳2个电子,且自旋方向相反,据此分析解答.解答:解:硅是14号元素,其原子核外有14个电子,A.3p能层有2个电子,在2个不同的轨道,符合洪特规则,其它同时符合泡利原理,故A正确;B.3s轨道应有2个电子,3p轨道有2个电子,不符合能量最低最低原理,故B

2、错误;C.硅原子核外外第三层4个电子应分成3s轨道有2个电子,3P轨道有2个电子,违反洪特规则以及泡利不相容原理,故C错误;D.3s轨道应有2个电子,3p轨道有2个电子,不符合能量最低最低原理,故D错误;故选A.点评:本题考査原子核外电子排布,根据洪特规则和泡利原理来分析,注意把握核外电子的排布规律即可解答,该题难度不大.2.下列说法中正确的是:()①所有基态原子的核外电子排布都遵循构造原理®同一周期从左到右,元素的第一电离能、电负性都是越来越大③金属键、共价键和氢键都具有相同的特征:方向性和饱和性©所有的配合物都存在配位键,

3、所有含配位键的化合物都是配合物⑤所有含极性键的分子都是极性分子©所有金属晶体中都含有金属键©所有的金属晶体熔点肯定高于分子晶体.A.③⑥⑦B•⑥C.③④⑤D.①②⑥⑦考点:原子核外电子的能级分布;元素电离能、电负性的含义及应用;化学键;配合物的成键情况;晶体的类型与物质熔点、硬度、导电性等的关系.专题:原子组成与结构专题;化学键与晶体结构.分析:①构造原理揭示的电子排布能级顺序,实质是各能级能量高低顺序,原子轨道充满或半充满时原子的能量处于最低状态不遵循构造原理;©电负性是元素的原子在化合物中吸引电子能力的标度,电负性可以判断

4、元素的金属性和非金属性;第一电离能h是指气态原子X(g)处于基态时,失去一个电子成为气态阳离子X+(g)所需的能量;③共价键和以键都具有方向性和饱和性,金属键没有;©含配位键的不一定是配合物,但配合物中一定含有配位键;⑤含极性键的分子中,若结构对称,正负电荷重心重合,即为非极性分子:©金属离子之间通过自由电子而产生的强烈相互作用;⑦金属晶体熔点不一定高于分子晶体.解荇:解:①原子的电子排布遵循构造原理能使整个原子的能量处于最低状态,但轨道充满或半充满时,能量较小,如Cu:3dl04sCr:Sd's1,不遵循构造原理,故①错误

5、;©同周期从左到右,元素的非金属性依次增强,元素的第一电离能越来越大,虽电负性依次增强,但稀有气体除外,故©错误;③一个金属阳离子可以在任何方向吸引相反电荷的电子,无方向性和饱和性.共价键形成的本质就是电子云的重叠,电子云重叠越多,分子越稳定.两个原子的未成对电子,只有自旋相反,才能配对形成一个共价键.所以共价键就具有饱和性和方向性.氢键饱和性,是指一个氢原子只能和一个氧(氟,氮)原子,形成氢键,而不能同时和多个原子形成氢键;方向性,是指氢键是有一定键角;金属键没有方向性和饱和性,故③错误;④含配位键的不一定是配合物,如铵根离

6、子不是络离子,氯化铵不是配合物而是离子化合物,故©错误;⑤二氧化碳、甲烷等分子含有极性共价键,但结构对称为非极性分子,故⑤错误;©金属键是金属阳离子和自由电子这两种带异性电荷的微粒间的强烈相互作川,所有金属晶体屮都含有金属键,故©正确;©汞的熔点(-6(rc)比冰(o°c)低,汞是液态金属,属于金属晶体,而冰是固态的水,它属于分子晶体,金属晶体汞的熔点低于分子晶体冰,故©错误;故选B.点评:本题考查原子结构与化学键、晶体类型等知识,侧重于考杏学生的分析能力和综合运用化学知识的能力,题目难度中等,本题注意根据电离能判断金属性、非

7、金属性的强弱,理解各化学键为解答该题的关键.1.下列各能层不包含d能级的是()A.◦能层B.P能层C.L能层D.M能层考点:原子核外电子的能级分布.专题:原子组成与结构专题.分析:能层含有的能级数等于能层序数,即第n能层含有n个能级,每一能层总是从s能级开始,同一能层中能级ns、np、nd、nf的能量依次增大,据此即可解答.解答:解:A.0能层是第五能层,含有5个能级,分别是5s、5p、5d...能级,故A不选;B.P能层是第六能层,还有6个能级,分別是6s、6p、6d...能级,故B不选;C.L能层是笫二能层,含有2个能级,

8、2s、2p能级,故C选;D.M能层是第三能层,含有3个能级,分别是3s、3p、3d能级,故D不选;故选:C.点评:本题考査核外电子排布规律,明确能层和能级的关系为解答该题的关键之处,题目难度不大.2.下列电子层屮,包含有f能级的是()A.K电子层B.L电子层C.M电子层D.N

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