GB-T11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法

《GB-T11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、中华人民共和国国家标准硅片径向电阻率变化的测量方法GB11073-89Standardmethodformeasuringradialresistivityvariationonsiliconslices1主题内容与适用范围本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距，直径大于15mm，电阻率为1X10-1一1X103Q.cM硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。2引用标准2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)6615硅片一电阻率的直排四探针测试方法3方法提要使用GB6615

2、方法，根据要求，选择四种选点方案中的一种进行测量，利用几何修正因子计算出硅片电阻率及径向电阻率变化。木标准提供P9种测量选点方案。采用不同的选点方案能M9得不同的径向电阻率变化值4仪器设备4.1GB6615规定的仪器设备装置。探}I一间距为1.00-m或1.59--o4.2样品架应具有平移和旋转360“功能。平移精度为士0.15mms旋转精度为士5。5试验样品5.1从一批硅片中按GB2828计数抽样方案或商定的方案抽取样品。5.2按GB6615的4.2条一4.3条制备样品。5.3如果硅片没有主参考面，则必需在硅片背面圆周上作一参考标记，以便测

3、量时对硅片定位。如果是仲裁测量，井吐硅片只有一个参考面，则需在硅片背面参考面边缘的中点作一参考标记。5.4找出任意三条相交45。且不与硅片参考面相交的直径，测量并记下该样品直径，如果这三条直径长度都在表1规定的直径偏差范围以内，则以标称直径为直径值。否则以三个酬量的平均值为直径值。表1硅片的几何参数标称直径直径偏差中心点厚度，最小总厚度变化Inm拼川50.8士0.42517176.2土0.石3562580士137540100士160050125士1600F5中国有色金属工业总公司1989一01一28批准1990一02一0，实施GB11073-

4、995.5按GB66t5的3.，1规定的厚度仪，在选点方案C(见图中C)的九个点侧量并记录各点厚度。5.6根据器件用途、9H体生长皿艺、掺杂剂种类以及所要求的电阻率数据，确定四种选点方案中的一种方案来测量硅片径向电阻率变化(见下图)。四探针测ju径向电阻率变化的选点方案注:①各图的底部平面表示主参考m(见6.t条)。②桩条短线段表示自排四探针测量点位置,月垂直于硅片直径，并用数字表示其四探针测hcUliaf5.6.1选点方案A小面积卜字JNJ,测A六点:在硅片中心点侧两次，在两条垂直直径的半径中点(x/2)处各测量一点。5压.2选点方案B大面

5、积十字型，测u六点:在硅片中心点测量两次，在两条垂直直径距硅片边缘6mm处各测量一点5.6.3选点方案C小面积及大面积卜字型，测量十点:在硅片中心点测量两次，在两条垂直直径的半径中点(R/2)处各测量一点，距硅片边缘Gmm处各测量1点。5.6.4选点方案D条直径上的高分辨型:在硅片中J自点以及中J自与直径两端的距离之问，以2mm}闭隔在尽可能多的位置L进行测址oGB11073-896测量步骤6.1调整样品，使第一次测量的1t径位于与主参考面垂4l的直径或通过参考标记的直径，沿逆时钊方向旋转30。的位置上(见5.3条和上图)。仲裁测最时，要记卜

6、相对参考而和参考标l[:的各测蔽点位置o6.2选定种选点方案(见5.6条和上图)。6.3如果需要电阻率的绝对值，则应测最月记录样品的温度。6.4按选定的选点方案进行测量.6.4.1将四探针置于被测样品表面，使四探针的排列直线垂直f经过测量点的半径，四探'e十直线的中点在测址点10.15mm范围以内。6.4.2按GB6615的6.4条和6.5条要求，测量问f林ll反向电阻率。6.4.3如呆硅片是非标称直径，则需记录样品II。心到四探针直线中点的距离才。了测量误差7.1四探针间距小于木标准规定的探针间距或测量高寿命样品时，应找出适当的电流范NII

7、IU作电阻率测量7.2掺杂浓度的局部变化，也会弓}起沿晶体生长方向上的电阻率变化，而四探针测量的是局部电阻率'I'均值。这个值受到样品纵向电阻率变化的影响。所以在硅片正面和背而测最电阻率变化的结果可能不同。这种影响程度也与探针间距有关。7.3当探针位置靠近硅片边缘时，对所测出的电压与电流比有明显的影响。根据电压与电流比和几何修d-因了来计算局部电阻率。附录A中第A2章给出探针间距为1.59mm，测量点161硅片边缘移动0.15mm时的局部电阻率误差量。对各种尺寸的硅片和测量点来说，这些误差量随着探针间距的减小Ifli减小了.4与硅片的儿何形状

8、有关的误差7.4.1在靠近硅片参考向位置上测量或在硅片背面及其周围导电的情说}‘测量均会产月汉矛7.4.2没有按硅片实际直径计算修正因几则会增加几何修l=.因子的误