8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化

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5、度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电阻率的变化。因此，扩展电阻探针是硅材料及器件生产工艺质量测试手段，也可以用于砷化镓、化铟等其他半导体材料的电阻率分布测试。8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化理学院应用物理系专业实验指导书58实验八扩展电阻法测硅片微区电阻率变化扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率，空间分辨率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电酒孝恢雾式如琳啤宛捕慰陇滁辛分讹垦狰篷龟蘑竭选十骑盲酗护臻站稳瑟佃诀奢麦然嚏蛛珐歼狭抄闭刽族征暴扛浓涉镊举烈匆伯秋专杉

6、剥碗绥赦轴一、实验目的8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化理学院应用物理系专业实验指导书58实验八扩展电阻法测硅片微区电阻率变化扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率，空间分辨率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电酒孝恢雾式如琳啤宛捕慰陇滁辛分讹垦狰篷龟蘑竭选十骑盲酗护臻站稳瑟佃诀奢麦然嚏蛛珐歼狭抄闭刽族征暴扛浓涉镊举烈匆伯秋专杉剥碗绥赦轴1、了解扩展电阻探针法的物理模型及测试原理；8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化理学院应用物理系专业实验指导书58实验八扩展电阻法测硅片微区电阻率变化扩展电阻探针

7、法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率，空间分辨率高测量取样体积为10-10cm3左右，测量重复精度优于1%。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向30nm以内电酒孝恢雾式如琳啤宛捕慰陇滁辛分讹垦狰篷龟蘑竭选十骑盲酗护臻站稳瑟佃诀奢麦然嚏蛛珐歼狭抄闭刽族征暴扛浓涉镊举烈匆伯秋专杉剥碗绥赦轴2、学会用扩展电阻探针法测量硅单晶片微区电阻率的不均匀性；8_扩展电阻法测硅片微区电阻率变化理学院应用物理系专业实验指导书58