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1、§1、3半导体三极管（第一页） 三极管是组成各电子电路的核心器件，它由三个电极。它是我们学习的重点一：三极管的结构及类型 通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示 不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。二：三极管的放大作用（这一问题是重点） 我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大
2、作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：发射区中掺杂基区必须很薄基电结的面积应很大工作时：发射结应正向偏置，集电结应反向偏置载流子的传输过程因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，又由于集电结的反向作用，故注入至基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。而留在基区的很少，因为基区做的很薄。我们再用图形来说明一下，如图（3）所示：电流的分配关系由于载流子的运动，从而产生相应电流，它们的关系如下：
3、 其中：ICEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流；ICBO为IB=0时，集电极和发射极之间的穿透电流。 为共基极电流的放大系数，为共发射极电流的放大系数。它们可定义为：放大系数有两种（直流和交流），但我们一般认为，它们二者是相等的，不区分它们。三：三极管的特性曲线它的特性曲线与它的接法有关，在学习之前，我们先来学习一下它的三种不同接法。（1）共基极，如图（1）所示（2）共发射极 如图（2）所示（3）共集电极 如图（3）所示我们以NPN管共发射极为例：1.输入特性它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结
4、相互影响，因此，输出电压UCE对输入特性有影响，且UCE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。我们用UCE=0和UCE>=1,两条曲线表示，如图（4）所示2.输出特性它的输出特性可分为三个区：（如图（5）的特性曲线）(1)截止区：IB<=0时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源电压，两个结均反偏(2)饱和区：此时两个结均处于正向偏置，UCE=0.3V(3)放大区:此时IC=ßIB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。三极管1.概念:半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是
5、一种电流控制电流的半导体器件.作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关.2.三极管的分类:a.按材质分:硅管、锗管b.按结构分:NPN、PNPc.按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.3.三极管的主要参数:a.特征频率fT:当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b.工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c.hFE:电流放大倍数.d.VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e.PCM:最大允许耗散功率.f.封装形式：指定
6、该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.4.判断基极和三极管的类型:先假设三极管的某极为”基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为”基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.判断集电极C和发射极E,以NPN为例:把黑表笔接
7、至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极
8、。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体
