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时间:2018-10-30
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1、FIFO存储缓冲芯片IDT7203的原理及应用
2、第1摘要:文章详细介绍了IDT公司生产的新型先进先出异步CMOSFIFO存储寄存器芯片IDT7203的组成结构、功能原理和运行方式,分析了它的字长和字深的扩展方法。给出了IDT7203芯片在虚拟示波器硬件系统设计中的应用方法。关键词:先进先出存储器单片机数据传输IDT7203在某些高速数据传输和实时显示控制领域中,往往需要对数据实现快速存储和发送。而要实现这种高速数据的传输,则必须对数据进行快速采集、500)this.style.ouseg(this)">顺序存储和传送,而传统的存储器(如RAM系列)却无法胜任。IDT
3、72XX系列是IDT公司新推出的先进先出(FIFO)存贮器芯片。它具有双口输入输出、采集传送速度快和先进先出的特点,能满足高速数据传输的要求。本文将结合笔者对该类芯片的实际应用体会来具体讨论异步CMOSFIFOIDT7203的性能[1],以及它在虚拟示波器硬件系统设计中的应用。1IDT7203的内部结构及性能IDT7203的内部结构原理如图1所示,从图中可知,该芯片是一个双端口的存储缓冲芯片,它结构简单,便于操作,并具有控制端、标志端、扩展端和内部RAM阵列,内部读、写指针在先进先出的基础上可进行数据的自动写入和读出。当有数据到数据输入端口(D0~D8)时,可由控制
4、端阵列的特殊设计,先存入的数据将被先读出。如果需要数据外读,则可由控制端R来控制数据的读出情况。OS技术;●使用温度范围为-40℃~+85℃。2引脚说明IDT7203的引脚排列如图2所示,各主要引脚的功能如下:IT):扩展时第一个芯片标志/重读。这是一个双作用输入口。在字深扩展中,该端接地表示该芯片是芯片组中的第一个芯片。在非字深扩展应用中,该端为重读控制端;RS(RESET):复位端。RS为低时芯片复位以使读写指针恢复到初始位置。复位期间PTYFLAG):空标志。当读指针等于写指针时数据已读空,这时EF为低以防止数据进一步读出;500)this.style.ous
5、eg(this)">XO/HF(EXPANSIONOUT/HALF-FULL-FLAG):扩展输出端/半空标志。在字深扩展应用时,该端连接到后一个芯片的XI口。在非字扩展应用时为半满标志端;R(READENABLE):读出控制端。无空标志时(即EF为高时),在R的下降沿开始读周期。为防止空读,在存储器最后一个数据读出时,R的下降沿置空标志(即EF为低)。这时不能再对存储器进行读操作。3运行方式IDT7203具有以下六种运行方式;(1)单片方式:当实际应用仅需2048个字存储单元或更少时,采用单片IDT7203。(2)字长扩展方式:当实际应用需要每个字存储单元大于9位
6、时,应采用多片IDT7203来扩展存储长度。(3)字深扩展方式:当实际应用需要大于2048个字存储单元时,应采用多片IDT7203来扩展存储深度。(4)双向工作方式:当实际应用需要数据在两个分别可读写的系统缓冲时,可用成对的IDT7203来实现。500)this.style.ouseg(this)">(5)数据流通方式:该方式是一种边写边读的方式,即写一个数就读一个数。(6)复杂扩展方式:该方式是一种结合字深扩展和字长扩展的结合方式。在以上六种方式中,以前三种方式最为常见,下面简述这三种方式的实现过程。(1)单片方式要实现单片机方式只需将XI接地即可。这时FL/RT
7、为重新控制端。XO/HF为半空标志端。(2)字长扩展方式将各个芯片相关的控制标志接在一起同时控制。状态标志可在任意一个芯片中获得。芯片输出的信号千万不要接在一起。这时FL/RT为重读控制端,XO/HF为半空标志。连接图如图3所示(以两个芯片为例)。(3)字深扩展方式扩展中的第一个芯片用FL/RT端接地来表示。其它芯片的FL/RT端为高电平。且每个芯片中的XO端必须接到下一个芯片的XI端。并将每个芯片的EF标志相“或”以构成新的空标志;而将每个芯片的FF标志也相“或”来构成新的满标志。RT和HF在字深扩展方式时不起作用。其连接图如图4所示(两个芯片)。通过对以上几种运
8、行方式的讨论,可以看到只要对芯片进行适当的组合就能满足不同的需要,并且操作简单,应用广泛。500)this.style.ouseg(this)">4IDT7203在虚拟示波器中的应用4.1硬件设计IDT7203在要求数据传送较快时最为适用,比如要求时显示的场合。笔者在一个虚拟示波器硬件系统的设计中,需要将检波到的电压波形及时地在计算机屏幕中显示出来。因此,在设计时选取IDT7203系列中的IDT7203S/L12作为A/D转换的数据暂存,并通过它向计算机并口(打印口)[2]发送数据。整个设计中各芯片由单片机[3]统一控制,系统框图如图5所示。设计中的信号由探头采
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