ddr sdram控制器的fpga实现

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1、DDRSDRAM控制器的FPGA实现

2、第1摘要:DDRSDRAM高容量和快速度的优点使它获得了广泛的应用,但是其接口与目前广泛应用的微处理器不兼容。介绍了一种通用的DDRSDRAM控制器的设计,从而使得DDRSDRAM能应用到微处理器中去。关键词:DDRSDRAM控制器延时锁定回路FPGADDRSDRAM是建立在SDRAM的基础上的,但是速度和容量却有了提高。首先,它使用了更多的先进的同步电路。其次,它使用延时锁定回路提供一个数据滤波信号。当数据有效时,存储器控制器可使用这个数据滤波信号精确地定位数据,每16位输出一次,并且同步来自不同的双存储器模块的数据。

3、DDRSDRAM不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,因为它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读写数据。至于地址和控制信号,还是跟传统的SDRAM一样,在时钟的上升沿进行传输。由于微处理器、DSP等不能直接使用DDRSDRAM,所以本文介绍一种基于FPGA的DDRSDRAM控制电路。图1DDRSDRAM控制器逻辑图1DDRSDRAM控制器的设计1.1总体逻辑图DDRSDRAM控制器的总体逻辑图如图1所示。主要由DDR控制模块(Controller)、DDR接口模块ddr_interface以及延时锁定回路模块(DLL)三部分组成。下面详细介绍各个模

4、块的设计。1.2DDR控制模块的设计DDR控制模块包含了主要的状态转换。处理器通过sys_cmd对DDR控制模块写入命令,完成总线仲裁、解释命令、时序分配等任务。当DDR接口模块对DDRSDRAR数据读写时便进行控制。控制器的状态机如图2所示。控制器开始设置在空闲(Idle)状态,接下去的状态根据控制命令的不同可以是预充电Precharge、导入模式寄存器LoadModeRegister、刷新Refresh、有效Active等状态。要进入读写数据状态,必须先经过有效状态。读数据时,状态机由有效状态转换为读准备状态然后根据指令进入读状态。控制

5、模块保持在读状态直到脉冲终止命令触发或者数据读完。写的过程与读类似,在后面的接口模块中将详细介绍。1.3DDR接口模块DDR接口模块负责维持外部信号、DDR控制器与DDRSDRAM之间的双向数据总线信号,保证数据和命令能送达DDRSDRAM。图3给出了读写操作的数据流框图。对写周期而言,128位的sys_data_i被fpga_clk2x分频为64位的数据,通过lac_clk选择高低位。为了减小输入输出的延迟,数据在进出模块时都将被保存在输入输出寄存器中。ddr_write_en产生ddr_dq所需的三态信号。对于写周期而言,64位的ddr_dq信号在输入输

6、出寄存器被fpga_clk2x触发装配成128位的信号,其中低位信号在下降沿时被装配,高位信号在上升沿时被装配。图4给出了一个典型的写操作的波形图。在T1期间,写命令、地址和第一个128位数据被分别置于sys_cmd、sys_addr和sys_data_i三个端口。在T2期间控制器的状态由空闲转变为有效。接下来两个周期,控制器给出ACTIVE命令以及行片选地址。再经3个周期的延迟以后,控制器给出WRITEA命令和列片选地址。接下来,ddr_dq和ddr_dqs被设置成双倍速率模式。图3读写数据流框图1.4DLL模块图5示出了给FPGA以及DDRSDRAM提

7、供时钟信号的两个DLL模块的结构图。第一个DLL模块,即DLL_EXT给DDRSDRAM提供ddr_clk及ddr_clkb两个时钟信号,并且接收ddr_clk的反馈。第二个DLL模块,即DLL_INT给FPGA提供两个内部时钟信号fpga_clk和fpga_clk2x,它的反馈信号来自fpga_clk。两个DLL有着相同的时钟输入,但是不同的反馈信号保证了输入时钟和FPGA时钟以及DDRSDRAM时钟之间的零延迟。图4典型的写操作波形图2实现本设计选用XILINX公司的Vietex-E系列FPGA来实现,因为这个系列内嵌的DLL模块和可选择输入输出.图5两

8、个DLL模块结构图结构的特点能极大地方便设计。仿真结果显示,在133MHz的主频下,最高能获得1.6GB/s的速率。本文给出了基于FPGA的DDRSDRAM控制器的设计。从仿真中可以看出,这种结构的DDR控制器有着很高的性能,因此将得到广泛的应用。

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