欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:57743996
大小:316.65 KB
页数:4页
时间:2020-03-27
《DDR3-SDRAM控制器设计及FPGA实现.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、DDR3一SDRAM控制器设计及FPGA实现李元兵。等DDR3一SDRAM控制器设计及FPGA实现DesignofDDR3一SDRAMContro
2、
3、erandFPGAImpIementation李老再1,2纨(查程1’2豢明伟1,2(西南科技大学信息工程学院1,四川绵阳621010;特殊环境机器人技术四川省重点实验室2,四川绵阳621010)摘要:针对自适应接收机中高速A/D采样数据对高带宽和大容量的需求,提出一种DDIt3控制器设计方案。采用在MIGP核的基础上添加用户接口控制程序的设计方法,利用zC706评估板实现了DDR3的
4、读写控制。设计方案具有较高的可移植性和简单的用户接口,可以灵活地应用到不同的工程中。仿真和板级测试表明,DDR3可在800MHz的接口频率工作,传输速度可达l600MT/s,验证了系统的可行性和正确性,其将有助于解决海量数据的高速缓存问题。关键词:存储器控制器FPGA高带宽大容量用户接口数据模块模数转换中图分类号:唧;TP332文献标志码:ADOI:10.16086/j.cIlI【i.issIllooO一0380.201608002Abstract:^jⅡlingattIIeroquirememsofhighkmd埘dtlland1
5、argec印acityforhigh—speedA/D锄plingdatainadaptivereceiVer。adesignscheme0fdoubled8tarate3(DDR3)con呐uerisput椭ard.111edes酒met量lod0fad血崦auserinte血cecontmlpm铲蛐basedonMIGIPcoreisadopted,andtlIecon咖UerisrealizedusingZC706evalu撕onboard.nedesi弘h鹊be№rnexibility,high仃ar塔plantabil畸。
6、andsimpleuserinted如e。whichcanbenexiblyappliedintodi氐brentprojects.TlImughthesimlllationandboardleveltest-theinterfacir唱fbquencyofDDR3c8Ilworkat800MHz,锄dthetransⅡlissionspeedisupto1600MT/s,wllichve瑚esthefeasibility粕dco骶ctne晒oftIlesystem。aJldwillhaveasi印mcantimpacttosolv
7、ethepmblemofmassivedatacache.Keywor凼:MemoryContmⅡerFPGAH砷b8IldwidthL盯gecapac畸userinte由ceDatamodllleAnalog—di舀talconVersionO引言当前,在诸多通信芯片和系统的研发中,经常用到各种大容量、高速读写存储器件。同步动态随机存储器(synchmnousdynaIllicmndomaccessmemor),,sDRAM)以其价格低、速度快、容量大等特点,广受开发者的青睐H。。其中,DDR2和DDR3发展成熟、应用广泛。DDR
8、3在DDR2的基础上有了进一步的发展和改进,因此更具优势,已成为工程人员的首选方案。由于DDR3不能直接识别处理器的访问请求旧J,所以有必要设计一个DDR3控制器,以控制DDR3的读写。基于zc706评估板,针对高速数据通过DDR3缓存的应用背景,利用xilinx官方的MIGIP核,实现了DDR3控制器的设计,并在板上完成了验证。在评估板上,融合了ARMconex—A9处理器和xilill】【zyllq一7000系列FPGA芯片xc72045。在存储方面,FPGA连接了一条容量为1GB的SODIMM式内存条,充分满足设计需要。国防基
9、础科研计划基金资助项目(编号:B3120133002)。修改稿收到日期:2016一05一05。第一作者李元兵(199l一),男,现为西南科技大学电子与通信工程专业在读硕士研究生;主要从事高速并行信号处理的研究。《自动化仪表》第37卷第8期2016年8月1DDR3一SDRAM介绍设计中使用的DDR3一SDRAM(以下简称DDR3)为镁光公司的M鸭ⅡF12864Hz一1G6内存条。该内存条由8颗128MB的内存颗粒构成,它们组合在一起构成单RANK,存储容量为lGB。每颗存储颗粒的数据位宽是8B,8颗放在一起组成了数据位宽是“B的存储条
10、,再加上设置其突发长度为8,所以每次读写的数据位宽可以达到512B,很大程度上提高了DDR3的读写效率。每个存储颗粒拥有8个逻辑BANK,对应3根BANK选择线,所有存储颗粒复用14根行地址线、10根列地址线。DDR3较上一代DDR2
此文档下载收益归作者所有