微电子工艺技术复习要点4-6

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1、第四章晶圆制造1.CZ法提单品的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单品硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。1、溶硅2、引品3、收颈4、放庖5、等径生长6、收品。CZ法：使用射频或屯阻加热线圈，S于慢速转动的石英坩埚内的高纯度屯子级硅在1415设融化，将一个慢速转动的夹的单晶硅籽晶棒逐渐降低到烙融的硅中，籽晶表而得就浸在熔融的砷中并开始融化，籽品的温度略低于砷的熔点。当系统稳定后，将籽品缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿卷籽晶品体的方向凝固。FZ法：即悬浮区触法。将-条长度50d00cm的多品硅榨■直放在高温炉反应室，加热将多品硅榨的低端熔化，然后把籽品溶入己经

2、熔化的区域。熔体将通过熔融砘的表面张力忌浮在籽品和多品硅棒之间，然后加热线圈缓慢升离温度将烙融硅的上方部分多品硅棒开始格化》此时靠近籽粘晶体-•端的熔融的硅开始凝间，形成与籽晶和同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒CZ法优点：单品直径大，成本低，可以较好控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石樂保温加热元件的影响，易引入筑、碳杂质，不砧生长商电阻率中晶FZ法优点：1、可斌复生长，单晶纯度比CZ法离。2、无茁泔埚石墨托，污染少。3、髙纯度，离电阻率，低碳，低轼。缺点：直径不如CZ法，烙体与品体界面复杂，很难得到无位错品

3、体，耑要岛纯度多品硅棒作为原料，成本岛。MCZ：改进i拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用.降低了缺陷密度，氣含呈，提W了电阻分布的均匀性2.晶圆的制造步骤【填空】1.幣形处理：去掉两端，检齐电附确定中.品硅达到合适的掺杂均匀度。2.切片3、磨片和倒角4、刻蚀5、化学机械抛光3.列出单品硅最常使用的两种品向。【填空】111.100.4.说明外延工艺的H的。说明外延硅淀积的工艺流程。在中品硅的衬底上生长一层薄的笮品层。5.氢离子注入键合SOI品圆的方法I、对品阒A洁洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成亩含H的薄膜。3、品阆A翻转并和品岡B键合，在热反应中品

4、阆A的H脱离A和B键合4、经过CMP和晶阏淸洗就形成键合SOI晶岡6.列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】6名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOLHOT（混合品向）、应变硅CZ法：直拉弟品制迫法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT:使用选择性外延技术，可以在品El上实现110和100浞合品向材料。应变砘：通过向单品硅施加应力，砝的品格涼子将会披拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。第五章热处理工艺I.列举1C芯片制迫过程屮热筑化SiO2的用途？1.胶生轼化层2、屏蔽氧化层3、遮蔽試化层4、场区和局部轼化层5、衬绝轼化

5、层6、牺牲轼化层7、栅极轼化层8、阻挡轼化层2.栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程1、《S50度闲罝状态通入吹除净化氮气。2、通入工艺蒎气充满炉管。3、将石英或碳化硅品呦载舟缓慢推入炉管中4、以火约10度闷分钟升温5、工艺鉍气气流下稳定温度6、关闭铽气，通入氣气和筑化鉍，在晶阅表面生.成SO2傅膜7、当氧化层达到厚度时，关掉氣气和氯化氣，通入氮气，进行氣化物退火。8、工艺氮气气流下降温9、工艺辍气气流卞将晶舟拉出，闲罝状态下吹除净化氮气。3.影响扩散工艺中杂质分布的因索I、吋间与温度，恒定农面源主耍是吋间。2、硅品体中存在其他类型的点缺陷p75-p774.氮化硅在1C芯片

6、上的用途1、硅局部氣化形成过程屮，作为肌挡氣气扩散的遮蔽层。2、作为化学抛光的遮挡层。3、用于形成侧漿空间层、氣化物侧壁空间层的刻蚀停止层或空间层。4、往金屈淀积之前，作力掺杂物的扩敗阻止层。5、作力H对准工艺的刻蚀停止层。5.离子注入后的RTA流程I、品脚进入2、温度急升3、温度趋稳4、退火5、品阆冷却6、品岡退出6.为什么品体品格离子注入工艺后耑要高温退火？使用RTA退火备什么优点【埙空】消除晶格损伤，恢复载流子寿命以及迁移率，激活一定比列的掺杂原子。PI12降低了退火温度或齐说减少了退火时间，减少了退火时的表而污染，硅片不会产生变形，不会产生二次缺陷，对于商剂铤浊入

7、时的电激活率较商。7.SiO2-Si界而中存在儿种电荷？对器件性能有哪些影响？工艺上如何降低它们的密度【综合】5种。LiRB+Cs+K+儿乎没有影响Na+会引起mos晶体妗阈值电压的不稳定。P57丨、使用含鉍的轼化工艺2、用鉍刑期性的淸洗啓道、炉管和相关的容器，3、使用超纯净的化学物质4、保证气体及气体传输过程的消洁，保证栅电极M料不受污染。8.扩敗掺杂工艺的三个步骤【填空】1、品圆淸洗。2、生长遮蔽轼化层3、光刻4、刻蚀5、去光刻胶6、淸洗7、掺杂轼化物淀积8、拉盖轼化反应9、掺杂物驱入9.名别解释：结深、退火、RTP、RT