actel fpga的架构

《actel fpga的架构》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、ActelFPGA培训(内部资料)测控事业部刘银华主要内容Actel介绍公司简介Actel主要的FlashFPGAFlashFPGA与SRAMFPGA对比逻辑单元固件错误开关结构安全性资源利用率功耗ActelFPGA与Lattice的较量ProASCI3介绍逻辑单元I/O结构功耗RAM/ROM全局网络安全性主要内容Actel介绍公司简介Actel主要的FlashFPGAFlashFPGA与SRAMFPGA对比逻辑单元固件错误开关结构安全性资源利用率功耗ActelFPGA与Lattice的较量ProASCI3介绍逻辑单元I/O结构功耗RAM/ROM全局网络安全性ACTEL公司介绍Actel

2、成立于1985年，位于美国纽约，上市于纳斯达克交易所，代号:ACTL。全球约有雇员500人，香港、东京和汉城设有办事处，并在亚洲的主要城市建立了完善的分销商网络纽约ActelFlashFPGA系列ACTELProASIC系列ProASIC3系列Fusion系列IGLOO系列最早的FlashFPGA，具有Flash的特征，一定的加密功能最安全可靠的FPGA业界唯一具有模拟功能的FPGA超低功耗FlashFPGA静态功耗最低5uWSRAMFPGA与FlashFPGA对比代表公司Lattice特点1.粗颗粒架构2.基于LUT和DFF的最小物理单元3.SRAM+Flash结构优点1.无需配置芯片

3、2.速度快3.一定的安全性代表公司Actel特点1.精细颗粒架构2.基于独立组合逻辑和触发器3.Flash结构优点1.上电即可运行2.高可靠性3.高安全性代表公司Altera、Xilinx特点1.粗颗粒架构2.基于LUT和DFF的最小物理单元3.SRAM结构优点1.速度快缺点1.需要配置芯片FlashSRAMFlash和SRAM逻辑单元对比XilinxSliceAlteraLEActelTileLatticePFU高能中子固件错误对比进来的中子在布线结构中引起固件错误，导致或信号的错误连接信号的丢失N+N+高能中子Ｐ衬底或进来的中子在逻辑单元中引起固件错误，导致信号的错误连接逻辑功能错误

4、开关结构对比Flash开关好处面积小，更多的开关用于布线低功耗—与SRAM工艺相比具有更小阻抗和容性负载可重复编程且非易失性拷贝启动PROM数据或拦截配置码流进行复制重建原理图或网表，了解设计运作并改进无道德合同制造商自行购芯片额外生产重新编写FPGA程序，使系统不能运行安全性克隆过建反向工程拒绝服务Altera/XilinxLatticeActel资源利用率LUT-4逻辑D-FFLEX1X2LUT-4逻辑D-FFLEYLUT-3TileX1X2D-FFTileY100%50%功耗系统电压配置SRAMFPGAS静态上电启动电流SRAMFPGAsSRAMFPGAsActelFPGAs时间/

5、ms电流/mA1001000500100系统时钟稳定ControlLogicControlLogicFLSH结构逻辑单元FlashFlashControlLogicSRAM逻辑单元Actel与Lattice较量可以防止前述的四种攻击，还是业界唯一具有加密功能的FPGA大约需要1ms左右的配置时间，需要一定的启动电流由于还是SRAM结构的FPGA，不可避免的存在前述的固件错误除了可以防止数据流被截取,其他的三种威胁依然存在每一个逻辑单元都是基于Flash结构，真正的非易失性无需配置过程，上电即可运行，很小的启动电流基于Flash单元结构的FPGA有很好的固件错误免疫功能本质还是SRAM结构

6、的FPGA,只不过把配置芯片嵌入到芯片内部Actel与Lattice较量SRAM结构Flash结构上电即可运行固件错误免疫安全性高上电需要配置易固件错误安全性低主要内容Actel介绍公司简介Actel主要的FlashFPGAFlashFPGA与SRAMFPGA对比逻辑单元固件错误开关结构安全性资源利用率功耗ActelFPGA与Lattice的较量ProASCI3介绍逻辑单元I/O结构全局网络RAM/ROM功耗安全性ProASIC3全局网络功耗I/O结构逻辑单元结构安全性RAM/ROMOverView1130nm,7金属层Flash工艺CMOS技术的FPGA单电源基于AES技术和Flash

7、Lock技术ISP解决方案快速、单芯片、上电即行、固件错误免疫片内1Kbit的FLASHROM，最多504KbitRAM系统门从3万门到300万门最多616个IO、6个PLL、17种IO电平标准等业界最好的ISP解决方案3唯一具有ASIC特征的FPGA2相对丰富的资源4CCCCCCCCCCCCCCCCCCRAMRAMISPAES解密FlashROM电荷汞RAMRAMRAMRAMRAMRAMI/OBank0I/OBank2I/OBan