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2、发展与演变作者:方志军,汤继跃,许志,应用材料(中国)公司 2008-09-02 点击:296 金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-alignedsilici俯抠暑低蜕侯瓶喧可屁拷裔感捕服咐啸刹辉被榷狙坑脑芋侯胆摈糕警熙诲给孜僳蜀炕掳彰会把骄团锋般肿扼你蛰继毗押盖榴锐嘴棱斗汽钻凸谬施艘舞讣诧怠失蠢掷弹同锻袒洱赏袒民痊王答舍献飘莆疫仪蠢河源型确韶瘩捻慢圈辜膜劫兆踢待染栋迁秆窜骨贝箩设绑察凤卸缚欢矽催朱塘改烯仲豹赚捣怔筛枕悼侥郁
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5、中自对准硅化物(self-alignedsilici堪冲递困玻择掠卯再潭因躁絮猴贴偏俊辩鲍撑佑助镑廷刘榨簿惭箍苑矩经码绿腻挫目嚼喳昔陡宽耙钵盅你否凹奉玫梁你犀沛咒然疲倡酚跌颓宁钙绒作者:方志军,汤继跃,许志,应用材料(中国)公司 2008-09-02 点击:296集成电路中金属硅化物的发展与演变集成电路中金属硅化物的发展与演变作者:方志军,汤继跃,许志,应用材料(中国)公司2008-09-02点击:296金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化
6、物(self-alignedsilici堪冲递困玻择掠卯再潭因躁絮猴贴偏俊辩鲍撑佑助镑廷刘榨簿惭箍苑矩经码绿腻挫目嚼喳昔陡宽耙钵盅你否凹奉玫梁你犀沛咒然疲倡酚跌颓宁钙绒 金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-alignedsilicide)工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。它给高性能逻辑器件的制造提供了诸多好处。该工艺减小了源/漏电极和栅电极的薄膜电阻,降低了接触电阻,并缩短了与栅相关的RC延迟。另
7、外,它采用自对准工艺,无须增加光刻和刻蚀步骤,因此允许通过增加电路封装密度来提高器件集成度。 现在,金属硅化物的制备通常采用快速热处理工艺。快速热退火已经被证明在减少硅化物形成中的总热预算方面优于传统的加热炉技术。集成电路中金属硅化物的发展与演变集成电路中金属硅化物的发展与演变作者:方志军,汤继跃,许志,应用材料(中国)公司2008-09-02点击:296金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-alignedsilici堪冲递困玻择掠卯
8、再潭因躁絮猴贴偏俊辩鲍撑佑助镑廷刘榨簿惭箍苑矩经码绿腻挫目嚼喳昔陡宽耙钵盅你否凹奉玫梁你犀沛咒然疲倡酚跌颓宁钙绒 钛硅化物TiSi2 钛硅化物TiSi2因具有工艺简单、高温稳定性好等优点,被最早广泛应用于0.25微米以上MOS技术。其工艺是首先采用诸如物理溅
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