fab工艺设计资料

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1、名词介绍1. Active Area 主动区（工作区） 主动晶体管（Active Transistor）被制造的区域即所谓的主动区（Active Area）。在标准之MOS制造过程中Active Area是由一层氮化硅光罩接着氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以Active Area会受到鸟嘴（Bird’s Beak）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之Bird’s Beak存在，也就是说Active Area比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2. Acetone 丙酮 ①丙酮是有机溶

2、剂的一种，分子式为CH3COCH3。②性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。③在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。④对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。⑤允许浓度1000PPM。 3. ADI 显影后检查 ①定义：After Developing Inspection 之缩写②目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。③方法：利用目检、显微镜为之。 4. AEI 蚀刻后检查 ① 

3、定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。②目的：提高产品良率，避免不良品外流；达到品质的一致性和制程之重复性；显示制程能力之指针；阻止异常扩大，节省成本。③通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。 5. Air Shower 空气洗尘室 进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 6. Alignment 对准 ① 定义：利用芯

4、片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。②目的：在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。③方法：A人眼对准；B用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 7. Alloy/Sinter 熔合 Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。 8.AL/SI 铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/S

5、i (1%)，将此当作组件与外界导线连接。 9. AL/SI/CU 铝/硅 /铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常称为Target，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ElectroMigration ）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。 4910. Aluminum 铝 此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。 11. Angle Lapping 角度研磨 Angle Lapping 的目的是为了测量Jun

6、ction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。 12. Angstrom 埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如

7、SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。 13. APCVD（Atmospressure） 常压化学气相沉积 APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沉积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。 14. As75