一、设备名称、技术参数和功能要求

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1、一、设备名称、技术参数及功能要求：设备名称：流变仪用于分散体系和其他复杂流体及软固体的表征，采用剪切方向和垂直方向双测试模式。技术参数：技术参数：1.扭矩范围-稳态：10nNm-200mNm；2.扭矩范围-震荡：10nNm-200mNm；3.扭矩分辨率：0.1nNm；4.位置分辨率：<10nrad；5.阶跃应变时间：<10ms；6.频率范围：6.28urads-1-942rads-1；7.马达惯量：13uN.m.s2；8.法向力范围：0.001N-20N；9.法向力分辨率：0.5mN；10.法向力响应时间：<10ms;11.垂直运行速度：10.1ums-1-35mms-1；12

2、.垂直运行距离：230mm；13.间距分辨率：0.1um；14.接口：USB2.0-3.0；15.温度分辨率：0.01℃；16.温度稳定性：优于0.1℃；政府采购进口产品专家论证意见技术专家1论证意见：流变仪作为研究流体到软固体在外场作用下的物质组构产生的可逆变化具有重要作用，近年压流变、电流变、磁流变研究发展迅速，流变仪也有一些国产品牌，但与进口流变仪比较，在扭矩、法向力、温控方面差距明显，建议购买进口品牌流变仪。专家签名：余仲秋技术职称：教授年月日技术专家2论证意见：国内流变设备似更多关注塑料基材的流变效果，作为科研平台建设，流变分析对象更应多样化，多外力场分析。购买进口设

3、备较好。专家签名：张波涛技术职称：教授年月日技术专家3论证意见：流变功能材料的研究近年发展迅速，流变仪无疑是研究流变功能材料的重要工具，尽管国内也有生产流变测试设备的厂商，但在测试性能、测试重复性、测试多样性方面还是进口设备占优。专家签名：李雪技术职称：研究员年月日技术专家4论证意见：进口流变仪在测试对象，测试操作便利性，测试精度，使用时间、稳定度方面无疑优于国产设备，而且进口流变仪几乎都是长时期从事流变设备研究的企业，技术积累不是国内厂商能比拟的。科学研究建议购买进口设备。专家签名：段宝兴技术职称：教授年月日法律专家：论证意见：经对采购方提供的相关资料进行审查，采购该仪器符合

4、我国相关法规政策规定。同时该设备不属于限制进口产品，不违背国家产业政策，同意采购该类进口仪器。专家签名：袁拥军技术职称：律师年月日姓名工作单位技术职务备注余仲秋中国人民解放军信息工程大学教授技术专家1张波涛中国人民解放军信息工程大学教授技术专家2李雪中国科学院上海技术物理研究所研究员技术专家3段宝兴西安电子科技大学教授技术专家4袁拥军河南豫威律师事务所律师法律专家一、设备名称、技术参数及功能要求：设备名称：深反应离子刻蚀设备（DRIE）DRIE主要是面向多种材料的高深宽比刻蚀，重点强调材料刻蚀方向的选择性。技术参数：1.可以刻蚀材料：Al，Diamond，Polyimide，P

5、t，Si，Si3N4，SiO2，Ta，Ti，TiN，W，AlN，Al2O3等多种材料。2.刻蚀硅速率：>3.5um/min（在10um线宽图形里）;3.刻蚀结构侧壁粗糙度：<200nm（在10um线宽图形里）;4.刻蚀深宽比：>30:1（在2um线宽图形里）（深宽比=深度/最大线宽,容许关键尺寸CD改变,氧化硅掩膜侧向腐蚀(undercut)为每边:<0.1um，光刻胶掩膜侧向腐蚀(undercut)为每边:<0.3um）5.片内刻蚀均匀性：优于±3%,分别在线宽为2um，刻蚀深度为60um，及10um的图形里测量，刻蚀深度为300um，二次刻蚀侧壁需光滑，无错位。6.片间均匀

6、性（wafertowafer）优于±3%,刻蚀的lag效应高于70%（2um与20um的刻蚀深度对比）7.刻蚀选择比为（对光刻胶）：>50:1;8.刻蚀选择比为（对氧化硅）：>100:19.刻蚀侧壁垂直度：优于90±0.2°（在2um线宽图形里及10um线宽图形,侧壁垂直度=90°+tan-1[(底部宽度-顶部宽度)/(2´深度)]）10.针对SOI材料的工艺要求：底部损伤(Notching):<200nm(宽度)（在2um及10um线宽图形里）过刻蚀>10min，检查Notching：<200nm;11.针对玻璃上的硅SOG（SilicononGlass）衬底,~20um及~

7、50um线宽：悬浮结构刻蚀深度:100~450um，刻蚀硅速率：>4um/min（在~22um线宽图形里）刻蚀结构侧壁粗糙度：<200nm,刻蚀选择比为（对光刻胶）：>40:1;刻蚀侧壁垂直度：优于90±0.2°（在~22um线宽图形里）;刻蚀均匀性：优于±3%,在线宽为22um的图形里测量;片间均匀性（wafertowafer）优于±3%;体硅刻蚀穿通结构工艺：保证穿透刻蚀结构，侧壁陡直度优于90±1°。12.大暴露面积（>40％<70%）的硅片刻蚀，选择比条件放宽到：光刻胶的选择比>25