半导体实用英日汉总结

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1、律I怵实用其语伺汇半导体实用英语词汇1.acceptancetesting（WAT:waferacceptancetesting-品圆验收测试）勺工一’、受it入2.acceptor:受主，接受器（无线）如B,掺入Si中需要接受电子了夕七y夕一；受容体3.ACCESS（7夕七x）:—个EDA（EngineeringDataAnalvsis-.T程数据分析-工二了V〉夕夭一夕解析）系统4.Acid:酸（吞人）5.Activedevicet%）：有源器件（Active：积极，主动），如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6

2、.Alignmark（key）：对位标记合矛）甘—夕7.Alloy：合金（二3含/v）8.Aluminum:锅二夕厶）9.Ammonia：氣水（7:z乇二7）10.Ammoniumfluoride：NH4F（滅化钱）弗化了＞千二夕厶11.Ammoniumhydroxide：NH4OH（2氧化钱）水酸化7＞千二夕厶12.Amorphoussilicon（了乇卟7r只＞3＞）:a-Si,非品硅（不足多品硅）13.Analog（7于口夕"）:模拟的14.Angstrom（才＞夕''只卜口一厶）:A（1E-10m）挨15.Anis

3、otropic（異人性）:各向界性（如POLYETCH）16.AQL（AcceptanceQualityLevel）:接受质M标准，在一定采样卜，可以95%置信度通过质景标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时问后的失效率）受U•人九品質爪17.ARC（Antireflectivecoating反射防止膜）:抗反射层（用于METAL（金属）等层的光刻）18.Antimony（Sb）锑:于乇＞19.Argon（Ar）氫20.Arsenic（As）砷砒素（邝乇）1.Arsenictrioxide（As2O3）三氧化二砷（二酸化毗素

4、）2.Arsine（AsH3）砷化氢了爪3.Asher：去胶机了y汐弋一4.Aspectratio卜比）n：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）5.Autodoping（才一卜卜一匕〉/）:fi搀杂（外延时SU巳的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，乂回掺到外延层）6.Backend（儿;/夕工W）:后段（CONTACT（W）以后、PCM测试前）7.Baseline7^＞）：标准流程8.Benchmark（《〉子了一夕）:蕪准9.Bipolar（八4沢一7）••双极10.Boat（术一卜）:扩散用（石英）舟11.CD：（Cri

5、ticalDimension…限界、法）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。12.Characterwindow（今义3夕夕一々<>卜’々）:特征窗U。川文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。13.Chemical-mechanicalpolish（化学機械研磨）（CMP）：化学机械抛光法。一种去棹圆片表面某种物质的方法。14.Chemicalvapordeposition（化9蒸肴）（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应巾成一层薄胶的T艺。15.Chip（千W）:碎片或芯片。1

6、6.CIM：computer-integratedmanufacturing（37>匕'二一夕統合生産）的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。17.Circuitdesign（M路設，计）:电路设计。一•种将各种元器件迮接起来实现一定功能的技术。18.Cleanroom（夕—>a—厶）:一•种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。19.Compensationdoping（補償卜一匕>夕'）:补倦掺來。昀P型平•异体橡入施主杂质或

7、njN型掺入受主杂质。20.CMOS：complementa

8、rymetaloxidesemiconductor（in補型念屈酸化膜半導体）的缩写。一种将PMOS和NMOS在M—个硅衬底上混合制造的丄艺（互补金属氧化物半导体）。21.Computer-aideddesign（J>匕'二一夕支援設計）（CAD）：计算机辅助设计。22.Conductivitytype（導電艰）:传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。1.Contact（口乂夕夕卜）:孔。在工艺屮通常指孔1,即连接铝和硅的孔。2.Controlchart（制御図•管理図）:

9、控制图。一•种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。3.Correlation（相互関連）:相关性。4.Cp：工艺能力，详见processcapability（:/口七7能力•工程能力）。5.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex（:/口七只能力指数•工程能力指