光刻缺陷检查培训

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1、VisualDefectIntroductionE1-INT3XY05Crosssection(bipolar):LayerCodeIn-linehold货如是defect原因，请按照右表格式keyincomment.AC：Arcing外观：金属表面呈烧焦及熔岩状，而且沿着金属线路熔毁。或圆形爆炸状成因：在电浆（Plasma）环境中，高浓度的带正电离子经由电弧（ARC）对晶片表面容易蓄积电荷或导电部位放电时所产生的高热熔毁金属线路。OMfigure:M1ACBC/BV：BlindContact/BlindVIA外观：Contact（连接M1/Poly)/VIA(连接M1/M2

2、)的大小变小或完全消失不见。成因：a,Photo焦距偏差（defocus），以至于contact/VIA部位曝光不足，而无法曝开；b,Photo光阻涂布不良，使底层被蚀刻掉。OMfigure:COBCV1BVBR：bridge外观：图形桥接成因：PHOTOdefocusOMfigure:C1：Taperesidue外观：胶带残留，只发生在最上层，可以擦掉。（背面磨薄制程中，胶带粘表面）成因：透明胶状物OMfigure:Remark:目前SinoMOS尚未涉及到晶背研磨，故不会出现C1的defect.C2：Foreigncontamination外观：不规则状，非透明物，一般呈

3、现条状。成因：晶片后续操作中引入，多数在可以清洗掉OMfigure:PAC2CR：corrosion外观：MetalLine侧边有泡状/多颗泡状衍生物，造成金属凹陷。成因：a,金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而继续腐蚀金属，包括制程异常造成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时间太久；b,其它酸腐蚀（如BPSG中的P遇水气形成磷酸）。OMfigure:M1CRM2CRCK：Crack外观：非正常图形定义线条，如护层龟裂，破裂處金屬光澤較強烈（即較亮）成因：a.VIA龜裂可能SOG不均或护层结构异常b.護層龜裂护层应力不协调或外物DAMAGE。OM

4、figure:V1CKC3：Sifragment外观：有棱角，片岩状碎屑。成因：晶片破片，叠片以及刮伤等。OMfigure:PAC3CO：contamination外观：不规则状物成因：晶片制程中引入（机台异常或人为操作不当），多数清洗不掉OMfigure:PACODC：Dis-color外观：强光灯或肉眼下可见WAFER表面颜色不均匀，OM下街道颜色不均匀成因：Film厚度不均匀OMfigure:OXDCDM：Damaged（silicondamage）外观：圆圈状，水滴状，如出现在Silicon裸露的街道为聚集的水滴状，向街道交叉处聚集。成因：制程中Silicon裸露时，

5、被氨水damageOMfigure:WADMHL：Hillock外观：在金属表面或测边a,原形平顶突起b,尖顶状突起c,多角形平頂突起。成因：金属原子在热循环（ThermalCycle）中，因热膨胀系数不同而产生的应力之作用而形成的丘状突起。OMfigure:M2HLSize>3um,OOS.HZ：Nitridehaze外观：发生在Nitride层，强光灯下可见雾状物，OM下为密集的细小PA（暗区检查较好）。成因：SIN反应中固体产物抽离不及，落在WAFER上。OMfigure:SNHZLD：localdefocus外观：OM下图形有基本形貌，但不同程度变形成因：defocu

6、s(机台异常或WAFER底部不平坦)OMfigure:MA：mis-alignment外观：图形便移，与其他图形重叠全批/单片重复性缺陷成因：Layertolayermis-alignment或REWORK图形残留OMfigure:NU：Non-uniform外观：VIA层有液滴或条状突起成因：（a,SOG涂布时湿度控制不良，造成泡沫状或条状突起。）？？b,洗边时，洗边液IPA（压力流量控制不稳）滴入SOGfilm上。OMfigure:OE：overetch外观：金属线路变窄成因：金属ETCH时，polymer未保护好侧壁导致金属线ETCH过多，变形OMfigure:PA：p

7、article典型PA1：COPA外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。成因：BPSGprocess中产生OMfigure:COPA（checkafterBPSG）PA：particle典型PA1：COPA外观：a,多存在于T2位置，呈竖列分布；b,簇状分布，颗粒size较小且分布相对集中；c,metal会被particle顶起，且突起部分呈现metal色泽。成因：BPSGprocess