国内及国际igbt厂家及情况调研

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1、IGBT调研报告IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，是目前发展最迅速的新型功率器件，具有非常好的开关特性和导通特性。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势，是电力电子设备中的核心部件，涉及几乎所有电压等级下的电气设备。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电

2、流较大，驱动电路复杂；MOSFET是单极型电压驱动器件，驱动功率很小，开关速度快，驱动电路简单，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。下图(a)给出了一种由N沟道MOSFET与双极型晶体管组合构成的IGBT（为N沟道IGBT）的基本机构。P+注入区与N区形成了一个大面积的P+N结J1.这使得IGBT导通时由P+

3、注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。简化等效图如(b)，可看出这是用双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。图RN为晶体管基区内的调制电阻。因此，IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，他也是场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压uGE决定的，当uGE为正且大于开启电压时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。由于前面提到的电导调制效应，使得电阻RN减小，这样高耐压的I

4、GBT也具有很低的通态压降。当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。下图是IGBT结构图、等效图：下图为IGBT模块的生产流程解析：IGBT开发之初主要应用在电机、变换器（逆变器）、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备等工业控制领域。在上述应用领域中IGBT凭借着电压控制、驱动简单，开关频率高、开关损耗小，可实现短路保护等优点在600V及以上中压应用领域中竞争力逐步显现，在UPS、开关电源、电车、交流电机控制中已逐步替代GTO、GTR。由于

5、SCR和GTO具有极高的耐压能力和较大的通过电流，目前在高压大电流应用中SCR和GTO仍占有统治地位。下图是功率器件的应用情况：随着人们节能意识的逐步增强，变频空调、变频洗衣机等变频家电比例逐年扩大。为了简化电路设计提高IGBT使用的可靠性，变频家电中主要使用集驱动电路、保护电路功能于一身的IGBT智能模块，家电市场中主要三菱、仙童占据较大优势，仙童价格较便宜但稳定性相对稍差。IGBT在汽车中的应用主要集中在汽车点火器上，已成功地取代达林顿管成为汽车点火器的首选。飞兆、英飞凌、ST在该市场中有很强的竞争力。铁路

6、的发展离不开大量电力机车和高速动车组，电力机车需要500个IGBT，动车组需要超过100个IGBT，一节地铁需要50~80个IGBT模块。粗略估计上述轨道交通市场对IGBT模块的需求将超过3百万个，可以想见轨道交通给IGBT市场所带来的空前机遇和发展空间。当低碳经济，节能减排成为经济工作的重点时，市场对节能概念接受能力较强。在节能减排的大环境下，IGBT一方面拥有新技术带来的广阔的市场空间，另一方面从技术发展路线来看又对以往的功率器件产品有一个逐步替代的作用。2009年我国IGBT市场为53亿元左右，目前我国I

7、GBT市场占整个功率器件市场份额尚不足10％，我们预计未来几年IGBT市场随着节能减排的推进将得到快速发展，增速将达到20％-30％，远超整个功率器件市场。由于关键技术的缺失，中国功率器件市场绝大部分份额被国外厂商占领，在国家政策扶持下，目前中国IGBT行业中高端技术已有突破，部分厂商已具备量产能力。IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系。下表是国

8、内IGBT在几个主要应用领域的规模及增长情况。应用领域2010（亿元）YOY(%)2011（亿元）YOY(%)2012（亿元）YOY(%)2013（亿元）YOY(%)家电变频家电17.4827.60%24.6340.89%31.0426.03%38.6424.48%电磁炉4.613.80%5.315.22%6.115.09%714.75%电机节电中低压变频器34.8115.70%41.