刻蚀间工艺培训2

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1、刻蚀工艺培训热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的点烙铁。检测什么是湿法刻蚀化学腐蚀在半导体生产中，半导体材料或金属等材料与腐蚀液发生化学反应，从而去除材料表面的损伤层或在材料表面获得一定形状的图形过程。湿法刻蚀湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。HF/HNO3体系，利用其各向同性腐蚀特性，使用RENA

2、in-line式结构的设备，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。简单设备结构与工艺说明图示HF/HNO3体系腐蚀机理硅在HON3+HF溶液中的腐蚀速率大，而在纯HNO3或纯HF溶液中的腐蚀速率很小。图：硅在70%（重量）HNO3+49%（重量）HF混合液中的腐蚀速率与成分的关系在低HNO3及高HF浓度区（图右角区）等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线。在低HF高HNO3浓度区（图左下角区）等腐蚀线平行于HF浓度线。HF/HNO3体系腐蚀机理根据这一特性，我们可以把常用的酸性腐蚀液（通常由不同比率的硝酸（HNO3）,氢氟酸（HF）及缓冲液等组成）的腐蚀机理分为两步：1.

3、利用硝酸（HNO3）氧化硅片表面Si+2HNO3SiO2+2HNO22HNO2NO+NO2+H2O2.利用氢氟酸（HF）与氧化硅生成可溶于水的络合物．SiO2+6HFH2SiF6+2H2OHF/HNO3体系腐蚀机理大致的腐蚀机制是HNO3(一种氧化剂)腐蚀，在硅片表面形成了一层SiO2，然后这层SiO2在HF酸的作用下去除。在低HNO3及高HF浓度区，生成SiO2的能力弱而去除SiO2的能力强，反应过程受HNO3氧化反应控制，所以腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线。在低HF高HNO3浓度区，生成SiO2的能力强而去除SiO2的能力弱，反应过程受HF反应控制，所以腐蚀线平行于HF

4、浓度线。HF/HNO3体系腐蚀机理特点大致的腐蚀机制是先氧化再去除，酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，因此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。在HF-HNO3溶液中的刻蚀速率是各向同性，（100）面的刻蚀速率和（111）面的腐蚀速率非常接近。而碱性腐蚀液为典型的各向异性腐蚀，（111）面的腐蚀速率远远大于（100）的腐蚀速率。刻蚀只腐蚀边缘，而不影响太阳电池的工艺结构，而碱性腐蚀液各向异性大，已经做好的绒面引起更大的差异，不利于后道的工序。HF/HNO3体系两区域腐蚀机理特点在低HNO3及高HF浓度区，由于该区有过量的HF可溶解反应产物SiO2，所以腐蚀速率受HNO3的浓度所控制，这中配方的

5、腐蚀剂由于孕育期变化不定，腐蚀反应难以触发，并导致不稳定的硅表面，要过一段时间才会在表面上慢慢地生长一层SiO2。最后，腐蚀受氧化-还原反应速率的控制，因此有一定的取向性。在低HF高HNO3浓度区，这个区域里的HNO3过剩，腐蚀速率取决于SiO2形成后被HF除去的能力，鉴于刚腐蚀的表面上总是覆盖着相当厚的SiO2层（30---50Å），所以这类腐蚀剂是“自钝化”的。该区内，腐蚀速率主要受络和物扩散而被除去的速率所限制，所以对晶体的结晶学取向不敏感，是真正的抛光腐蚀。HF/HNO3体系腐蚀液的选择湿法刻蚀的要求：1，腐蚀速率适当2，抛光腐蚀，反应速率无取向性3，只腐蚀边缘，而不影响

6、太阳电池的工艺结构根据碱性腐蚀，高HF和低HF的酸性腐蚀的各自特点，我们发现最佳的刻蚀液为低HF高HNO3的酸性腐蚀液。湿法刻蚀特点使用RENAin-line式结构，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。用无掩膜的背腐蚀来代替等离子刻蚀分离p—n结，背腐蚀使用HF-HNO3。溶液以及一些添加剂，避免了使用有毒性的CF4气体，背腐蚀太阳电池的背面更平整，其背面反射率优于刻边，背腐蚀太阳电池能更有效地利用长波增加ISC。铝背场比刻边的更均匀，可以提高IQE，从而提高了太阳电池的VOC。一、刻蚀槽刻蚀槽生产multi156硅片图片刻蚀槽液面刻蚀槽硅片生产时正常液面滚轴硅片

7、间液面硅片硅片间距5-7cm刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理此为生产mono125-150硅片时图片硅片完全悬空硅片尾部吸附刻蚀液刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理此为生产mono125-150硅片时图片2052934橡胶圈较小2051141橡胶圈正常刻蚀液完全吸附刻蚀槽前后硅片状态比较此为生产mono125-150硅片时图片硅片刚进入刻蚀槽硅片刻蚀后，边缘水印为反应生成的水刻蚀槽影响刻蚀效果的因素一、抽风:抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅