2013茂名高三理综一模试卷及答案 2

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1、茂名市2013届高三第一次高考模拟考试理综试题1．下列有关细胞结构和功能的叙述，正确的是A．中心体是动物细胞特有的结构B．无叶绿体的生物不能进行光合作用C．高尔基体可以对蛋白质进行合成、加工和转运D．酒精进入细胞的方式与神经元释放递质的方式不同2．视网膜母细胞为恶性肿瘤，其发病与RB基因有关。RB基因编码的蛋白质称为Rb蛋白，分布于核内，能抑制细胞增殖。正常人体细胞中含有一对RB基因，当两个RB基因同时突变产生突变蛋白时，会发生视网膜母细胞瘤。下列叙述正确的是A．上述RB基因发生的突变属于显性突变B．RB基因为抑癌

2、基因，能抑制细胞癌变C．突变蛋白的产生体现了细胞分化的实质D．突变蛋白可以延长细胞周期3．下列关于免疫调节的叙述，正确的是：A．T细胞参与的特异性免疫一定是细胞免疫B．B细胞受到抗原刺激后，可增殖分化成效应T细胞C．浆细胞与效应T细胞一定分别来源于是B细胞和T细胞D．吞噬细胞不能特异性地识别抗原，但能呈递抗原给T细胞4．下列关于果酒和果醋制作的叙述，不正确的是A．参与发酵的微生物都含有线粒体B．发酵过程中培养液pH都会下降C．制果酒时瓶口需密闭，而制果醋时需要通入氧气D．果酒制成后可将装置移至温度略高的环境中制果醋

3、5．下列有关遗传变异与进化的叙述中，正确的是A．基因型频率的改变是生物进化的根本原因B．基因内增加一个碱基对，只会改变肽链上一个氨基酸C．基因表达时存在RNA分子间的碱基互补配对D．同源染色体上姐妹染色单体之间的交叉互换属于基因重组6．右图为某生物工程操作流程模式图，下列说法正确的是A．如果此图表示基因工程的操作流程，若A为质粒，则B表示重组DNA分子B．如果此图表示动物细胞融合过程，则形成C（杂种细胞）的原理是细胞全能性C．若此图为试管婴儿的培育过程，则应包括人工受精、细胞培养和胚胎移植等方面D．若此图为试管牛生

4、产的技术流程图，则获得A（精子）后可直接与B进行体外受精7．下列各组离子在溶液中能够大量共存的是A.B.C.D.8．下列反应与酸性氧化物的通性无关的是5/18A．实验室用碱石灰吸收B．与水反应制备氧气C．与水反应制备D．与澄清石灰水作用9．设阿伏加德罗常数的数值为，下列说法正确的是（相对原子质量：H-1、O-16）A．所含分子数为B．与足量Fe反应，转移的电子数为C.溶液中含微粒的数目是D.常温下，中H-O键数目为10．下列实验操作正确且能达到目的是A．将溶液蒸发结晶提取无水B．在温水瓶中加入溶液泡浸后加入盐酸除去

5、内壁能C．用饱和的NaOH热溶液除去乙酸乙酯中的乙醇、乙酸D．将混合气体通过盛有饱和溶液的洗气瓶除去HCl11.研究小组分别用锌片、铝片、Cu和稀硫酸进行原电池的相关的探究，所得部分实验数琚如下，下列说法正确的是实验电极甲电极乙IZnCuIIAlCuA．实验I中，甲电极反应为：B．实验II中，向Al定向迁移C．两组实验溶液的pH均增大D．实验II中，电子由铜转移到锌12.下列说法正确的是A．甲醛与苯酚反应能形成高分子化合物B．苯能使酸性溶液褪色C．乙醇和苯酚都是电解质D．将乙醇与浓硫酸共热产物直接通入溶液中，以证明

6、产物是乙烯13.以下说法正确的有A．物体的温度升高，表示物体中所有分子的动能都增大B．热量不能自发地从低温物体传给高温物体C．电流通过电阻后电阻发热，它的内能增加是通过“热传递”方式实现的D．晶体熔化时吸收热量，分子平均动能一定增大14.如图所示，一开口向右的气缸固定在水平地面上，活塞可无摩擦移动且不漏气，气缸中间位置有一挡板，外界大气压为。初始时，活塞紧压挡板处。现缓慢升高缸内气体温度，则图中能正确反应缸内气体压强变化情况的P—T图象是15．如图所示，绕在铁芯上的线圈与电源、滑动变阻器和电键组成闭合回路，在铁芯的

7、右端套有一个表面绝缘的铜环A，下列各种情况中铜环A中没有感应电流的是A．线圈中通以恒定的电流B．通电时，使变阻器的滑片P作匀速移动C．通电时，使变阻器的滑片P作加速移动5/18D．将电键突然断开的瞬间16.目前我国已发射北斗导航地球同步卫星十六颗，大大提高了导航服务质量，这些卫星A．环绕地球运行可以不在同一条轨道上B．运行角速度相同C．运行速度大小相等，且都大于7.9km/sD．向心加速度与静止在赤道上物体的向心加速度大小相等。二、双项选择题（本大题共9小题，每小题6分，共54分。在每小题给出的四个选项中，有两个选

8、项符合题目要求，全部选对得6分，只选一个且正确的得3分，有选错或不答的得0分）。17.在下列四个核反应方程中，和各代表某种粒子①②③④以下判断中正确的是（）A.是质子B.是质子C.是质子D.是质子18.交流发电机电枢中产生的交变电动势为，如果要将交变电动势的有效值提高一倍，而交流电的周期不变，可采取的方法是A．将电枢转速提高一倍，其他条件不变B．将磁感应强度