0[1].18logic flow 问题参考答案version1.1

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1、0.18LGPROCESSFLOW相关问题1.ZEROOXIDE的作用是什么？第一是为后序的ZEROPHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTERMARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.ZEROPHOTO的目的是什么？WAFTERMARK是否用光照？ZEROPHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASMLsteppersystemrequiresazeromarkforglobalalig

2、nmentpurpose。WAFTERMARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。3.PADOXIDE的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE作为缓冲层，同时也作为NITRIDEETCH时的STOPLAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。PADOXIDE是用湿氧的方法生长的。4.STI　NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？NITRIDE是作为STICMP的STO

3、PLAYER。NITRIDE的厚度要精确控制，一方面与PADOXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CDcontrol最好；另一方面与BIRD’SBEAK的形成有关。如果NITRIDE太厚，BIRD’SBEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PADOXIDE，可减小缺陷，但BIRD’SBEAK会增加。5.在STIETCH中SION的作用是什么？在整个0.18umSRAMFLOW中SION厚度有几个？STIETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE

4、的反射率，作为ARC。在整个0.18umSRAMFLOW中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。6.在STIHDP前LINER-OXIDE的作用是什么？LINEROXIDE是用热氧化的方法生长的。一方面在STIETCH后对SI会造成损伤，生长一层LINEROXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGE；在HDP之前修复尖角，减小接触面，同时HDPDEPOXIDE是用PLASMA,LINEROXIDE也作为HDP时的缓冲层。7：HDPDEP原理？A：在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死

5、，产生空洞现象，因为有PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。8：为什么HDPDEP后要有RTA？A：因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除。9：为什么在STICMP前要进行ARPHO和ETCHBACK？A：ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD生长的OXIDE上形成图示形状，先用DRY方法去掉大块的OXIDE，使CMP时能将OXIDE完全去掉10：在STICMP后OXIDE的表面要比NITRIDE的低？A：NITRIDE的硬度较大，相对来说OX的研磨速率更高，因此ST

6、I　CMP会有一定量的Dishing.11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？A：CMP是用化学机械的方法，产生的PARTICLE很多，所以要CLN。使用药剂如下：SPM+HF：H2SO4：H2O2去除有机物质HPM：HCL：H2O2：H2O去除金属离子APM：NH4OHHF去除自然氧化层12：SACOX的作用？为什么要去除PADOX后才长SACOX，而不直接用PADOX？A：因为经过上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE会有很多DAMAGE，PADOX损伤也很严重，因此要去掉PADOX后生长一层OXIDE来

7、消除这些DAMAGE，同时SACOX也避免PR与SI的表面直接接触，造成污染。也为下一步的IMP作阻挡层，防止离子IMP时发生穿隧效应。13、APM，SPM，HPM的主要成分，除何种杂质；HF的作用。APMNH4OH:H2O2:H2O=1:1:5SC1主要去除微颗粒，可除部分金属离子。HPMHCL:H2O2:H2O=1:1:6SC2主要作用是去除金属离子。SPMH2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶）。HF的主要作用是去除OX。14、WELLIMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？0.18UM制程中

8、WELLIMP有三次：WELLIMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。CHANNELIMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCHTHROUG