半导体三极管 （5）

《半导体三极管 （5）》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第15章：半导体三极管15.5半导体三极管简要总结1.15.5半导体三极管基本结构电流分配和放大原理特性曲线主要参数三极管分为NPN型与PNP型二种，符号如图：NPN型三极管CBEBECPNP型三极管2.三极管的基本结构三极管结构分类：平面型、合金型CBEN型硅N型硅P型硅CEBN型锗PP3.三极管的结构示意图基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高集电结发射结BECNNP基极发射极集电极NPPC集电极基极B发射极E4.三极管典型放大电路三极管最典型的放大电路：共射放大电路；正常工作三极管的发射结为正偏，而集电结为反偏。BECRBRCVmVmAuA5.三极管的电流分配三极管

2、加上电源接成共射电路；发射区向基区扩散电子；小部分电子在基区与空穴复合，大部分电子向集电结区域扩散；在外电场的作用下电子渗过集电极透入集电区。NNPRBEBEC发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEIEIBIC基极加正电压,发射结正偏集电极加正电压集电结反偏自由电子向集电区扩散,部分与基区空穴复合,基极正电源补充空穴形成基极电流IB集电结反偏,阻挡集电区的自由电子向基区扩散,同时将发射区扩散到基区达到集电结边缘的自由电子拉入集电区,形成电流ICE6.三极管的放大原理三极管发射区扩散到基区并与基区空穴复合的少量自由电子与到达集电区的大量自由电子基本成比例，集电极电流可看作基极电流的放大;

3、：表征三极管的电流放大能力，称为电流放大系数.7.三极管的特性曲线UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压：硅管0.5V锗管0.2V。输入特性曲线8.三极管的特性曲线输出特性曲线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A饱和区截止区放大区9.三极管输出特性三个区域的特点放大区：发射结正偏，集电结反偏。且：IC=IB，IC=IB；饱和区：发射结正偏，集电结正偏。且：UCEUBE，IB>IC，UCE0.

4、3V；截止区：UBE<死区电压，且：IB=0，IC=ICEO0。10.三极管的主要参数电流放大系数：分别称为静态电流（直流）放大倍数与动态电流（交流）放大倍数；集—基极反向截止电流ICBO：发射极开路时通过反偏集电极的漏电流；集—射极反向截止电流：ICEO：基极开路时集电极的漏电流；集电极最大允许电流ICM：当值下降至正常值的三分之二时的集电极电流；集—射极反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路，加在集电极与发射极之间最大允许电压；集电极最大允许耗散功率PCM：正常工作状态下允许集电极耗散的最大功率。11.三极管的重要参数与关系式电流放大系数：发射结导通压降UBE：硅管UBE≈0.7V，

5、锗管UBE≈0.3V；IE=IB+IC12.三极管电路举例（一）IB=0.04mA,IC=1.5mA；计算电流放大倍数13.三极管电路举例（二）IB1=40uA,IB2=60uA,IC1=1.5mA,IC2=2.3mA；分别计算静态与动态电流放大倍数14.三极管电路举例（三）电源电压15VRB=100KRC=1K=60计算UCEBECRBRCVmVmAuAE15.简要总结概念线索16.课后练习可选习题：15.5.217.