电子技术中期考试试题

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1、2012——2013学年度电子技术基础与技能中期考试试题一．选择题（每题2分）1.最常见的半导体材料是()A.铜B.铁C.硅和锗D.铝2．二极管两端加正向电压时（）A．一定导通B超过死区电压才导通C.超过0.7V导通D.超过0.3V才导通3．某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）A.约等于150VB.可略大于150VC.不得大于40VD.等于75V4．稳压二极管的稳压性能是利用二极管的（）特性实现A.单向导电B.反向击穿C.正向导通D.反向截5．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（

2、）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不能确定6．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。A.PNP锗管B.NPN硅管C.NPN锗管D.PNP硅管7．已知某三极管的三个电极电位为6V,2.7V,2V,则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。A、NPN型，放大状态B、PNP型，截止状态C、NPN型，饱和状态D、PNP型，放大状态8．二极管的反向电阻（）。A．小B．大C．中等D．为零9．测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的β为（）。A．70B．

3、40C．50D．6010．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　）  A.10VB.10V   C.10/VD.20V11．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为()A.24VB.18VC.9VD.28.2V12.分压式偏置电路利用（）的负反馈作用来稳定工作点。A．电容B.基极电阻C.集电极电阻D.发射极电阻13.下列器件中（）将电信号转化成光信号。A．放光二极管B.三极管C.二极管D.光电二极管14.如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）。A．特性良

4、好B.已被击穿C.内部开路D.功能正常15.整流的目的是（）A．将交流变为直流B.将高频变为低频C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流二．填空题（每空1分）1.三极管用来放大时，应使发射结处于_______偏置，集电结处于_________偏置。2.二极管加正向电压导通，反向电压截止，叫做二极管的___________3.锗二极管的开启电压________，硅二极管的开启电压____________4.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管________，又有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管__________5.三极管具有电流放大作用的

5、实质是利用________电流对_______________电流的控制6.半导体二极管2AP7是___________半导体材料制成的，2CZ56是___________半导体材料制成的。7.____________________的半导体称为本征半导体。8．晶体三极管在放大状态下，其集电极电流IC与基极电流IB的关系式为__________。9.稳压二极管主要工作在________区。在稳压时一定要在电路中加入限流。10.光电二极管在电路中要连接才能正常工作。11.半导体三极管按极性可分为________型和________型二类。12.用万用表“R×

6、1k”挡测试二极管，若所测的电阻较大，则黑表笔接触的是二极管的__________极，与红表笔接触的是二极管的___________极。三．判断题（每题1分）1.半导体二极管都是硅材料制成的。（）2.半导体二极管只要加正向电压就能导通。（）3.稳压二极管工作在正向导通状态。（）4.利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。（）5.二极管从P区引出的极是正极。（）6.二极管加反向电压一定是截止状态。（）7.三极管是一种电流控制器件。（）8.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）9.三极管无论工作在何种工作状态，电流IE=IB+IC=(1+ß)IB总是成

7、立。（）10.三极管的发射区和集电区都是同类半导体材料，因此c、e极可以互换。（）四.作图题(每题4分)1.画出发光二极管和PNP型三极管的电路符号2.画出半波整流电路的原理图五.计算题（每题8分）1.电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10KΩ，试求出AO两点间的电压UAO？(二极管为理想二极管)_______________________2.桥式整流电容滤波电路如图示电路，设U0=24V，RL=300Ω。⑴求二次有效电压U2⑵求流过负载电流IL(3)求流经二极管的平均电流ID3.三极管9011的参数为，，，问该型号管子在以下情况下能否正常工作，

8、说明理由（1）三极管基-射工作电压，集电极电流为25mA（2）三极