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1、华中科技大学光学与电子信息学院2013—2014学年度《信息技术导论》课程论文《信息技术导论》论文题目:集成电路的历史、现状与前景展望专业班级:学号:姓名:联系方式:5.1-9,,services,andmakethecitymoreattractive,strengtheningpublictransportinvestment,establishedasthebackboneoftheurbanrailtransitmulti-level,multi-functionalpublictransportsystem,thusprotectingtheregionalpos
2、itionandachieve华中科技大学光学与电子信息学院2013—2014学年度《信息技术导论》课程论文集成电路的历史、现状与前景展望XXX(华中科技大学光学与电子信息系,武汉430074)关键词:电路电子半导体工业制造一、集成电路的定义集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着
3、微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。二、集成电路的发展简史1.世界集成电路发展历史1947年:美国贝尔实验室的约翰·巴丁、布拉顿、肖克莱三人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;1950年:结型晶体管诞生1950年:ROhl和肖克莱发明了离子注入工艺1951年:场效应晶体管发明1956年:CSFuller发明了扩散工艺1958年:仙童公司RobertNoyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;1962年:美国RCA公司研制出MOS
4、场效应晶体管1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺5.1-9,,services,andmakethecitymoreattractive,strengtheningpublictransportinvestment,establishedasthebackboneoftheurbanrailtransitmulti-level,multi-functionalpublictransportsystem,thusprotectingtheregionalpositionandachieve华
5、中科技大学光学与电子信息学院2013—2014学年度《信息技术导论》课程论文1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规
6、模集成电路(VLSI)时代的来临1988年:16MDRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用0.8μm工艺1992年:64M位随机存储器问世1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺1995年:PentiumPro,133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺2000年:1GbRAM投放
7、市场2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。2003年:奔腾4E系列推出,采用90nm工艺。2005年:intel酷睿2系列上市,采用65nm工艺。2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2E7/E8/E9上市。2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。5.1-9,,services,andmakethecitymoreattractive,stren