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时间:2018-09-19
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1、附件3:半导体照明综合标准化技术体系标准明细表——制定中的标准子体系01:材料和设备总序号子序号体系编号标准代号和编号标准名称采用的或相应的国际、国外标准号标准状态标准类型备注0101材料010101原材料1101010101电子级三甲基镓立项公示产品标准国标010102衬底材料220101020220110055-T-469蓝宝石单晶衬底抛光片规范制定中产品标准国标330101020320110056-T-469蓝宝石单晶晶锭制定中产品标准国标44010102042009-2768T-SJ蓝宝石单晶抛光片规范制定中产品标准行标
2、550101020520110057-T-469蓝宝石晶锭应力测试方法制定中方法标准国标660101020620110739-T-469蓝宝石衬底片翘曲度测试方法制定中方法标准国标770101020720110740-T-469蓝宝石衬底片弯曲度测试方法制定中方法标准国标880101020820110054-T-469蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法制定中方法标准国标9901010209蓝宝石位错密度测量方法立项公示方法标准国标10100101021020110061-T-469碳化硅单晶抛光片制定中产品标准国标1111010
3、102112009-2773T-SJ碳化硅单晶抛光片规范制定中产品标准国标1212010102122009-2752T-SJ碳化硅抛光晶片表面质量测试方法制定中方法标准行标1313010102132009-2770T-SJ碳化硅单晶电学性能的测试方法制定中方法标准行标1414020202242009-2771T-SJ碳化硅单晶晶向的测试方法制定中方法标准行标1515020202252009-2772T-SJ碳化硅单晶晶型的测试方法制定中方法标准行标1616020202262009-2776T-SJ碳化硅抛光片表面粗糙度的测试方法
4、制定中方法标准行标17170202022720092225-T-469碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法制定中方法标准国标18180202022820092226-T-469碳化硅单晶片微管道密度测试方法制定中方法标准国标19190202022920092222-T-469SiC晶片直径测试方法制定中方法标准国标20200202022020220062-T-469碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法制定中方法标准国标212102020222碳化硅单晶片平整度测试方法立项公示方法标准国标22220202022220220047-
5、T-469LED外延芯片用磷化镓衬底规范制定中产品标准国标423230101022320220048-T-469LED外延芯片用砷化镓衬底规范制定中产品标准国标2424010102242009-2756T-SJ低位错密度磷化铟抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测试方法SEMIM37-0699制定中方法标准行标2525010102252009-2757T-SJ低位错密度砷化镓抛光片腐蚀坑密度的测量方法制定中方法标准行标010103发光材料262601010308LED用稀土氮化物红色荧光粉制定中产品标准国标272701010309LED
6、用稀土硅酸盐荧光粉制定中产品标准国标282801010310LED灯用稀土黄色荧光粉制定中产品标准国标292901010311LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法第1部分:相对亮度的测定制定中方法标准国标303001010312LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法第2部分:光谱性能的测定制定中方法标准国标313101010313LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法第3部分:色品坐标的测定制定中方法标准国标323201010314LED用稀土硅酸盐荧光粉试验方法第4部分:热稳定性的测定制定中方法标准国标010106其他材料3333010106
7、01高亮度LED用电路板立项公示产品标准国标343401010602高亮度LED用电路板试验方法立项公示方法标准国标0102设备010200设备通用标准3535010200012010-3099T-SJ半导体设备生产能力的定义和测量制定中基础标准行标3636010200022010-3114T-SJ设备培训最优方法指南制定中基础标准行标37370102000320100112-T-469半导体生产设施电磁兼容性要求制定中基础标准国标38380102000420100113-T-469半导体制造设备的最终装配、包装、运输、拆包及安
8、放导则制定中基础标准国标010201工艺设备3939010201012010-3113T-SJ喷雾式涂布设备通用规范制定中产品标准行标4040010201022010-3118T-SJ自动砂轮划片机制定中产品标准行标4子体系02:芯片和器件总序号子序号体系编号标
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