无机材料科学基础03-3_ppt课件

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1、Chapter3CrystalStructureDefect3.1晶体结构缺陷的类型3.2点缺陷(pointdefect)3.3固溶体(solidsolution)3.4非化学计量化合物(nonstoichiometriccompound)3.5线缺陷(linedefect)3.6面缺陷(facedefect)3.3固溶体外来组元进入晶体结构,占据主晶相质点位置或间隙位置一部分,仍保持一个晶相,称为固溶体(即溶质溶解在溶剂中形成固溶体),也称固体溶液。一、固溶体的分类二、置换型固溶体三、间隙型固溶体四、

2、形成固溶体后对晶体性质的影响五、固溶体的研究方法一、固溶体的分类(一)根据外来组元在主晶相中所处位置——置换型固溶体间隙型固溶体(二)根据外来组元在主晶相中的固溶度——连续型(无限型、完全互溶型)固溶体有限型(部分互溶型)固溶体。(一)根据外来组元在主晶相中所处位置1.置换型固溶体:溶质原子位于点阵结点上,置换((替代型固溶体)替代)部分溶剂原子。金属和金属形成的固溶体都是置换式的。如,Cu-Zn系中的α和η固溶体都是置换式固溶体。金属氧化物中,主要发生在金属离子位置上的置换,如:MgO-CaO,MgO

3、-CoO,PbZrO3-PbTiO3,Al2O3-Cr2O3等。2.间隙型固溶体(填隙型固溶体):溶质原子位于点阵的间隙中。金属和非金属元素H、B、C、N等形成的固溶体都是间隙型。如:Fe-C系的α固溶体中,碳原子位于铁原子的bcc点阵的八面体间隙中。金属化合物,如YF3进入CaF2结构中形成间隙型固溶体,F-位于立方体间隙位置。二、置换型固溶体(一)形成置换型固溶体的主要影响因素1.原子或离子尺寸的影响——Hume-Rothery经验规则2、晶体结构类型的影响3、离子类型和键性4、电价因素1.原子或离

4、子尺寸的影响——Hume-Rothery经验规则r1、r2——分别代表半径大和半径小的溶剂(主晶相)或溶质(杂质)原子(或离子)的半径::溶质与溶剂之间能形成连续固溶体;:溶质与溶剂之间只能形成有限固溶体;:溶质与溶剂之间难于或不能形成固溶体,而易形成中间相或化合物。因此:Δr愈大,则溶解度愈小。这是形成连续固溶体的必要条件,而不是充分必要条件。2.晶体结构类型的影响溶质与溶剂晶体结构类型相同,能形成连续固溶体。NiO-MgO都具有面心立方结构,且Δr<15%,可形成连续固溶体;MgO-CaO两结构不同

5、,只能形成有限型固溶体或不形成固溶体。这也是形成连续固溶体的必要条件,而不是充分必要条件。3.离子类型和键性化学键性质相近,即取代前后离子周围离子间键性相近,容易形成固溶体。4.电价因素(1)等价置换硅酸盐晶体中,常发生复合离子的等价置换,如Na++Si4+=Ca2++Al3+,使钙长石Ca[Al2Si2O6]和钠长石Na[AlSi3O8]能形成连续固溶体。又如,Ca2+=2Na+,Ba2+=2K+常出现在沸石矿物中。(2)不等价置换高价置换低价:形成阳离子空位低价置换高价:形成阴离子空位(二)注意事项

6、以上几个主要影响因素,并非同时起作用,在某些条件下,有的因素会起主要因素,有的会不起主要作用。例如,rSi4+=0.026nm,rAl3+=0.039nm,相差达45%以上,电价又不同,但Si-O、Al-O键性接近,键长亦接近,仍能形成固溶体,在铝硅酸盐中,常见Al3+置换Si4+形成置换固溶体的现象。三、间隙型固溶体(一)形成间隙型固溶体的条件取决于离子尺寸、离子价、电负性,结构等。1.杂质质点大小添加的原子愈小,易形成固溶体,反之亦然。2.晶体(基质)结构基质晶体中空隙愈大,结构愈疏松,易形成固溶体

7、。3电价因素外来杂质原子进入间隙时,必然引起晶体结构中电价不平衡,这时可通过部分离子置换来保持电价平衡。形成间隙阴离子:高价置换低价形成间隙阳离子:低价置换高价(二)实例对于同样外来杂质原子,形成填隙式固溶体可能性或固溶度大小顺序是:沸石>CaF2>TiO2>MgO原因MgO间隙位置:全部氧四面体空隙;TiO2间隙位置:1/2八面体空隙CaF2间隙位置:1/2立方体空隙沸石结构:架状硅酸盐结构,具有隧道型空隙四、形成固溶体后对晶体性质的影响1.稳定晶格,阻止晶型转变2.活化晶格3.固溶强化4.形成固溶体

8、后对材料物理性质的影响1.稳定晶格,阻止晶型转变(1)PZT陶瓷铁电体PbTiO3烧结性能极差,居里点490℃,相变时晶格常数剧烈变化导致开裂;反铁电体PbZrO3,居里点230℃。两者结构相同,Zr4+、Ti4+离子尺寸相差不多,能在常温生成连续固溶体Pb(ZrxTi1-x)O3,在斜方铁电体和四方铁电体边界组成Pb(Zr0.54Ti0.46)O3处,压电性能、介电常数都达到最大值,烧结性能很好,命名为PZT陶瓷。(2)稳定化ZrO2Zr

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