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1、霍尔效应及应用实验论文学院：物理科学与技术学院专业：微电子姓名：石茂林学号：1042023058摘要:霍尔效应是霍尔--德国物理学家于1879年在他的导师罗兰的指导下发现的这一效应，这一效应在科学实验和工程技术中得到广泛应用。可以用它测量磁场、半导体中载流子的浓度及判别载流子的极性，还可以利用这一原理作成各种霍尔器件，已广泛地应用到各个领域中。近年来霍尔效应得到了重要发展，冯·克利青发现了量子霍尔效应，为此，冯·克利青获得1985年度诺贝尔物理学奖。关键词:霍尔效应副效应霍尔电压直流电压高精度的隔离传送和检测直流电流高精度的隔离检测监控量越限时准确的隔离报警引言:利用霍尔
2、效应电压与磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电压，可以得知空间某区域的磁场分布及其此处的磁感应强度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量和信息处理等方面。正文：通过自己多次到实验室去体验并做了这些试验，本试验共有4个实验--霍尔效应、直流电压高精度的隔离传送和检测、直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。现在把实验内容及其结论在下面做详细介绍：一、霍尔效应试验实验目的：认识霍尔效应并懂得其机理；研究霍尔电压与工作电流的
3、关系；研究霍尔电压与磁场的关系；了解霍尔效应的副效应及消除方法。实验原理：霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转元件，如图所示图1.1霍尔效应磁原理图1.2霍尔效应磁电转换在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度dlocatedintheTomb,DongShenJiabang,deferthenextdayfocusedontheassassination.Linping,Zhejiang,1ofwhichliquorwinemasters(WuzhensaidinformationisCarpenter),whogotAfewbayonets
4、,duetomissedfatal,whennightcame成反比，即(1.1)或(1.2)式（1.1）中称为霍尔系数，式（1.2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv/(mA·T)。如图1.1所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子—电子所受到的洛仑兹力为(1.3)。即得(1.5)此时B端电位高于A端电位。若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流I=nebdV(1.6)得(1.7)将(1.6)式代入(1.5)式得(1.8)式中称为霍尔系数，称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，愈大愈好，以便获得较大
5、的霍尔电压。由（1.8）式可知，如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流I和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为。霍尔效应实验电路如图所示。实验内容及数据处理:已知参数b=4.0mm,d=0.5mm,=3.0mm.设，其中K=6200GS/A；研究霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系的数据及处理：研究UH---IH关系研究UH---BH关系IM(A)0.3000.1000.2000.3000.400IH(mA)2.004.006.008.004.00locatedintheTomb,DongShenJiabang,deferthenextdayfocus
6、edontheassassination.Linping,Zhejiang,1ofwhichliquorwinemasters(WuzhensaidinformationisCarpenter),whogotAfewbayonets,duetomissedfatal,whennightcameU1(mV)-2.214.33-6.718.65-1.572.89-4.465.55U2(mV)2.23-4.316.72-8.841.58-2.894.45-5.55U3(mV)-2.144.45-6.498.97-1.453.02-4.325.91U4(mV)2.15-4.476
7、.46-8.951.42-3.014.33-5.92UHmV）2.104.216.128.231.512.944.405.88B(Gs)108010801080108036072010801440有基本原理可得：UH-1=(
8、U1
9、+
10、U2
11、+
12、U3
13、+
14、U4
15、)/4=2.10mAB1=B0/A*IM=3600*0.300=1080Gs同理可求其它的值并将结果填在表中。按作图法要求作出霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系曲线：实验分析及结论:本实验采用数字仪表控制,所以相当精确；不过还是存在不等势效应、埃廷斯豪森效应和能斯特
