单片机原理及应用模拟题(开卷)

单片机原理及应用模拟题(开卷)

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1、中国地质大学(北京)继续教育学院2014年09课程考试《单片机原理及应用》模拟题(补)一.填空题1.MCS—51布尔处理机的存储空间是_______。2.P2口通常用作_______,也可以作通用的I/O口使用。3.若由程序设定RS1、RS0=01,则工作寄存器R0~R7的直接地址为______。4.8051的堆栈区一般开辟在_______。5.所谓寻址,其实质就是_______。6.存储器映象是_______。7.单片机内有组成微机的主要功能部件、和。8.堆栈的特性是,8051的堆栈一般开辟在,其堆栈指针是。9.RS232C是总线标准。10.82

2、55是接口。二、单项选择题1.MCS-51单片机复位操作的主要功能是把PC初始化为()。A.0100HB.2080HC.0000HD.8000H2.若单片机的振荡频率为6MHz,设定时器工作在方式1需要定时1ms,则定时器初值应为()。A.500B.1000C.216-500D.216-10003.定时器1工作在计数方式时,其外加的计数脉冲信号应连接到()引脚。A.P3.2B.P3.3C.P3.4D.P3.54.当外部中断请求的信号方式为脉冲方式时,要求中断请求信号的高电平状态和低电平状态都应至少维持()。A.1个机器周期B.2个机器周期C.4个机

3、器周期D.10个晶振周期5.MCS-51单片机在同一优先级的中断源同时申请中断时,CPU首先响应()。A.外部中断0B.外部中断1C.定时器0中断D.定时器1中断6.定时器若工作在循环定时或循环计数场合,应选用()。第9页(共9页)中国地质大学(北京)继续教育学院2014年09课程考试A.工作方式0B.工作方式1C.工作方式2D.工作方式3三.判断题1.判断以下各条指令是否正确(LL1和PROC为标号)(1)MOVX@R0,B(2)MOVA,30H(3)MOVXA,30H(4)ADDCA,R7(5)SUBA,R2(6)ANL#99H,36H(7)M

4、OVC,ACC.0(8)ORLP1.0,P3.1(9)JBCP0,LL1(10)ACALLPROC四.简答题1.如何正确使用P3口?2.简述累加器的ACC的作用。3.简述寄存器间接寻址方式及其寻址范围。4.简述MCS-51单片机的中断入口地址。5.单片机的特性主要有哪些?6.8031、8051、8751有何异同?7.MCS-51的位存储区在哪里?寻址范围是多少?五.阅读程序题1.执行下列程序段后,(P1)=_______。MOVP1,#5DHCPLP1.1CPLP1.2CLRP1.6SETBP1.7第9页(共9页)中国地质大学(北京)继续教育学院2

5、014年09课程考试2.执行下列程序段后,(A)=_______,(CY)=____。MOVA,#C5HRLA3.下列程序段执行后,(R0)=_______,(7EH)=____,(7FH)=_______。MOVR0,#7EHMOV7EH,#0FFHMOV7FH,#40H1NC@R01NCR01NC@R04.已知(SP)=60H,子程序SUBTRN的首地址为0345H,现执行位于0123H的ACALLSUBTRN双字节指令后,(PC)=___,(61H)=_______,(62H)=____。5.下列各条指令其源操作数的寻址方式是什么?各条指令单

6、独执行后,A中的结果是什么?设(60H)=35H,(A)=19H,(R0)=30H,(30H)=0FH。(1)MOVA,#48H;寻址方式:(A)=(2)ADDA,60H;寻址方式:(A)=(3)ANLA,@R0;寻址方式:(A)=六.编程题1.已知在累加器A中存放一个BCD数(0~9),请编程实现一个查平方表的子程序。2.请使用位操作指令实现下列逻辑操作:BIT=(∨P1.0)∧(11H∨CY)3.已知变量X存于VAR单元,函数值Y存于FUNC单元,按下式编程求Y值。Y=4.已知在R2中存放一个压缩的BCD码,请将它拆成二个BCD字节,结果存于S

7、UM开始的单元中(低位在前)。第9页(共9页)中国地质大学(北京)继续教育学院2014年09课程考试5.(1)阅读程序并填空,形成完整的程序以实现如下功能。有一长度为10字节的字符串存放在8031单片机内部RAM中,其首地址为40H。要求将该字符串中每一个字符加偶校验位。(以调用子程序的方法来实现。)源程序如下:ORG1000HMOVR0,#40HMOVR7,#10NEXT:MOVA,①ACALLSEPAMOV@R0,AINCR0DJNZ②,NEXTSJMP$SEPA:ADDA,#00H③PSW.0,SRETORLA,④SRET:⑤(2)从内部RA

8、M30H单元开始,有10个单字节数据。试编一个程序,把其中的正数、负数分别送40H和50H开始的内部RAM单元。七.综合题

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